因此，半導(dǎo)體材料應(yīng)具有很高的純度，這就不僅要求用來生產(chǎn)半導(dǎo)體材料的原材料應(yīng)具有相當(dāng)高的純度，而且還要求超凈的生產(chǎn)環(huán)境，以期將生產(chǎn)過程的雜質(zhì)污染減至小。半導(dǎo)體材料大部分都是晶體，半導(dǎo)體器件對于材料的晶體完整性有較高的要求。此外，對于材料的各種電學(xué)參數(shù)的均勻性也有嚴(yán)格的要求。

半導(dǎo)體材料是室溫下導(dǎo)電性介于導(dǎo)電材料和絕緣材料之間的類功能材料。靠電子和空穴兩種載流子實現(xiàn)導(dǎo)電，室溫時電阻率般在10-5～107歐·米之間。通常電阻率隨溫度升高而增大；若摻入活性雜質(zhì)或用光、射線輻照，可使其電阻率有幾個數(shù)量的變化。
 

此外，半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性對外界條件（如熱、光、電、磁等因素）的變化非常敏感，據(jù)此可以制造各種敏感元件，用于信息轉(zhuǎn)換。

半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)有禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率、非平衡載流子壽命和位錯密度。禁帶寬度由半導(dǎo)體的電子態(tài)、原子組態(tài)決定，反映組成這種材料的原子中價電子從束縛狀態(tài)激發(fā)到自由狀態(tài)所需的能量。電阻率、載流子遷移率反映材料的導(dǎo)電能力。

非平衡載流子壽命反映半導(dǎo)體材料在外界作用（如光或電場）下內(nèi)部載流子由非平衡狀態(tài)向平衡狀態(tài)過渡的弛豫特性。位錯是晶體中常見的類缺陷。位錯密度用來衡量半導(dǎo)體單晶材料晶格完整性的程度，對于非晶態(tài)半導(dǎo)體材料，則沒有這參數(shù)。

半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)不僅能反映半導(dǎo)體材料與其他非半導(dǎo)體材料之間的差別，更重要的是能反映各種半導(dǎo)體材料之間甚至同種材料在不同情況下，其特性的量值差別。