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標題“金貴”的第三代半導體材料,封裝過程中降低“受損率”至關重要

發(fā)布時間:2021/3/29  來源: 四川威納爾特種電子材料有限公司   閱讀次數(shù):166        

       半導體封裝是一套非常復雜的流程,支撐起了全球龐大的產(chǎn)業(yè)鏈條,這個鏈條上的每一環(huán)都有著細致的分工和嚴苛的要求,封裝形式和封裝技術也非常多,且在不斷迭代當中。

    籠統(tǒng)來講,封裝技術就是將集成電路用絕緣的塑料或陶瓷材料打包的技術。

  而集成電路則是將具有一定功能的電路所需的半導體、電阻、電容等元件及布線全部集成在一小塊硅片上,再封裝在一個管殼內(nèi)所形成的微型結(jié)構(gòu)。 當今半導體工業(yè)大多數(shù)應用的都是基于硅(Si)和鍺(Ge)的集成電路,硅(Si)和鍺(Ge)也就是我們所說的第一代半導體材料。

隨著終端市場需求的不斷升級,如今半導體材料已經(jīng)發(fā)展到了第三代,第四代也已在研究當中,雖然現(xiàn)在還未得到廣泛應用,但對下游產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展有著積極的導向作用
 

 第三代半導體材料的應用難點

  
1.成本高
SiC成本高昂,同等規(guī)格的SiC器件比硅器件單個管芯的價格要高3-5倍。盡管SiC在晶圓上的尺寸可以做到很小,平均下來可降低一定的成本,但總體來說還是更貴。
 

2.易碎

  
SiC是一種天然超晶格,十分易碎,制備難度相對較大。雖然目前SiC襯底制造技術已經(jīng)達到8英寸水平,但要突破更大尺寸的生產(chǎn),提高生產(chǎn)良率,依然是個難題。


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