C61F121 CPU：  完全兼容PIC16F630
 ?  49條指令，除部分跳轉(zhuǎn)指令外為單周期RISC實(shí)現(xiàn)
 ?  工作速度：
 - 振蕩器/  時(shí)鐘的輸入頻率為DC~20  MHz
 - 指令周期*小為DC~200  ns
 ?  支持中斷處理，6個(gè)中斷源，8級(jí)硬件堆棧
 特殊單片機(jī)特性：
 ?  高精度內(nèi)部振蕩器：
 - 出廠時(shí)精度校準(zhǔn)為±1%
 - 固定頻率4M
 - 適用于關(guān)鍵應(yīng)用的晶振故障檢測(cè)
 ?  低功耗的電源休眠模式
 ?  工作電壓范圍（2.0V 到5V）
 ?  工業(yè)級(jí)溫度范圍:  -40°C  至 85°C
 ?  上電復(fù)位功能（Power-on  Reset， POR）
 ?  欠壓檢測(cè)功能（Brown-out  Detect，BOD）
 ?  帶上拉的主復(fù)位，可復(fù)用為輸入引腳
 存儲(chǔ)器
 ?  非易失性的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器
 –  1K  字節(jié)的系統(tǒng)內(nèi)可編程Flash
 –  128字節(jié)的EEPROM:  擦寫(xiě)壽命:  1000,000 次
 –  EEPROM  可經(jīng)受100 萬(wàn)次寫(xiě)操作
 ?  可編程代碼保護(hù)
 ?  高耐用性閃存/EEPROM單元：
 - 閃存可經(jīng)受10萬(wàn)次寫(xiě)操作
 - 閃存/  數(shù)據(jù)EEPROM保存時(shí)間：>40  年
 ?  96 字節(jié)的片內(nèi)SRAM
 外設(shè)特性：
 –  2個(gè)通用功能定時(shí)器/計(jì)數(shù)器
 –  一個(gè)片內(nèi)模擬比較器
 –  內(nèi)部可編程的參考電壓（VDD成比例）
 –  具有獨(dú)立片內(nèi)振蕩器的可編程看門(mén)狗定時(shí)器
 –  引腳電平變化可引發(fā)中斷及喚醒MCU
 ISP 功能
 –  在線編程下載功能
 I/O  口與封裝
 ?  12 個(gè)可編程的I/O  口線：
 –  驅(qū)動(dòng)能力20mA，
 –  獨(dú)立的可編程弱上拉，
 –  I/O口具有鍵盤(pán)中斷功能
 ?  14 引腳封裝:DIP14/SOIC14/TSSOP-14封裝
 功耗
 ?  正常模式：
 -  4 MHz,    2V: 典型值200μA
 -  32 kHz,  2V: 典型值11μA  （ 包括振蕩器）
 ?  掉電模式:
 -  2V， 0.5μA