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技術(shù)文章

現(xiàn)貨ABB伺服電機(jī)M3BP450LB2

點(diǎn)擊次數(shù):27 發(fā)布時(shí)間:2024/11/7 13:46:20

公司名稱:中海德(福建) 工業(yè)設(shè)備有限公司

姓名:陳小真

聯(lián)系方式: 0591-83566917

商務(wù)手機(jī):18005006971

商務(wù)qq:2851617312

地址:福建省福州市區(qū)萬(wàn)山大廈10樓中海德公司

現(xiàn)貨ABB伺服電機(jī)M3BP450LB2中海德(福建)工業(yè)設(shè)備有限公司

0591-83566917                 
18005006971
聯(lián)系人陳小真
QQ :2851617312
郵 箱:2851617312@qq.com
地 址:福建省福州市區(qū)烏龍江大道

 

放大器電源抑制比的具有兩個(gè)特點(diǎn):

1)電源抑制比隨頻率的上升而明顯下降。

2)放大器正、負(fù)電源的共模抑制比,隨頻率的上升抑制能力存在差異。

如圖2.61ADA4077電源抑制比與頻率的關(guān)系,可以觀察到正電源抑制比和負(fù)電源抑制比的曲線不重合。在±15V電源供電時(shí),在100Hz處的負(fù)電源電源抑制比約為100dB,正電源電源抑制比約為90dB時(shí)。當(dāng)頻率超過(guò)100KHz時(shí),正、負(fù)電源抑制比大幅下降40~60dB。

所以在開(kāi)關(guān)電源供電精密電路中,依靠放大器自身提高電源抑制比的方式十分有限。提升電路電源抑制能力的方法有兩種:

1.電源路徑增加濾波;

如圖2.67。通常為電解電容、陶瓷電容的組合,部分情況可能增加鐵氧體磁珠。其中,C1用作瞬態(tài)電流的電荷庫(kù)抑制低頻噪聲,通常為10~100μF的電解電容。C2用作抑制高頻電源噪聲,通常為0.01~0.1μF低電感表面貼裝陶瓷電容,并且PCB布局位置緊鄰IC電源引腳擺放,然后通過(guò)短線路連接到大面積、低阻抗的地平面才能有效。

2.67電源去耦電路

2.放大器優(yōu)先使用線性電源進(jìn)行供電。

在選擇線性電源時(shí)需要,重點(diǎn)關(guān)注開(kāi)關(guān)電源的頻率以及待選線性電源在該頻率附近的電源抑制比性能。

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原創(chuàng)作者:中海德(福建)工業(yè)設(shè)備有限公司

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