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技術(shù)文章

霍尼韋爾TK-FXX102模塊

點擊次數(shù):35 發(fā)布時間:2024/11/7 13:44:33

公司名稱:中海德(福建) 工業(yè)設(shè)備有限公司

姓名:陳小真

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 霍尼韋爾TK-FXX102模塊

霍尼韋爾TK-FXX102模塊

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放大器電源抑制比的具有兩個特點:

1)電源抑制比隨頻率的上升而明顯下降。

2)放大器正、負電源的共模抑制比,隨頻率的上升抑制能力存在差異。

如圖2.61ADA4077電源抑制比與頻率的關(guān)系,可以觀察到正電源抑制比和負電源抑制比的曲線不重合。在±15V電源供電時,在100Hz處的負電源電源抑制比約為100dB,正電源電源抑制比約為90dB時。當頻率超過100KHz時,正、負電源抑制比大幅下降40~60dB。

所以在開關(guān)電源供電精密電路中,依靠放大器自身提高電源抑制比的方式十分有限。提升電路電源抑制能力的方法有兩種:

1.電源路徑增加濾波;

如圖2.67。通常為電解電容、陶瓷電容的組合,部分情況可能增加鐵氧體磁珠。其中,C1用作瞬態(tài)電流的電荷庫抑制低頻噪聲,通常為10~100μF的電解電容。C2用作抑制高頻電源噪聲,通常為0.01~0.1μF低電感表面貼裝陶瓷電容,并且PCB布局位置緊鄰IC電源引腳擺放,然后通過短線路連接到大面積、低阻抗的地平面才能有效。

2.67電源去耦電路

2.放大器優(yōu)先使用線性電源進行供電。

在選擇線性電源時需要,重點關(guān)注開關(guān)電源的頻率以及待選線性電源在該頻率附近的電源抑制比性能。

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