ABB張力測壓元件PFTL 101AER-1.0

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放大器電源抑制比的具有兩個(gè)特點(diǎn)：

（1）電源抑制比隨頻率的上升而明顯下降。

（2）放大器正、負(fù)電源的共模抑制比，隨頻率的上升抑制能力存在差異。

如圖2.61為ADA4077電源抑制比與頻率的關(guān)系，可以觀察到正電源抑制比和負(fù)電源抑制比的曲線不重合。在±15V電源供電時(shí)，在100Hz處的負(fù)電源電源抑制比約為100dB，正電源電源抑制比約為90dB時(shí)。當(dāng)頻率超過100KHz時(shí)，正、負(fù)電源抑制比大幅下降40~60dB。

所以在開關(guān)電源供電精密電路中，依靠放大器自身提高電源抑制比的方式十分有限。提升電路電源抑制能力的方法有兩種：

1.電源路徑增加濾波；

如圖2.67。通常為電解電容、陶瓷電容的組合，部分情況可能增加鐵氧體磁珠。其中，C1用作瞬態(tài)電流的電荷庫抑制低頻噪聲，通常為10~100μF的電解電容。C2用作抑制高頻電源噪聲，通常為0.01~0.1μF低電感表面貼裝陶瓷電容，并且PCB布局位置緊鄰IC電源引腳擺放，然后通過短線路連接到大面積、低阻抗的地平面才能有效。

圖2.67電源去耦電路

2.放大器優(yōu)先使用線性電源進(jìn)行供電。

在選擇線性電源時(shí)需要,重點(diǎn)關(guān)注開關(guān)電源的頻率以及待選線性電源在該頻率附近的電源抑制比性能。

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