12V300mA方案設(shè)計非隔離恒壓驅(qū)動電源icSM7055替換CYT
驅(qū)動芯片SM7055-12 是采用電流模式 PWM 控制方式的功率開關(guān)芯片,集成高壓啟動電路
和高壓功率管,可實現(xiàn)低成本、高性價比開關(guān)電源系統(tǒng)解決方案。
芯片應(yīng)用于 BUCK、BUCK-BOOST 系統(tǒng)方案,支持 12V 輸出電壓,很方便的應(yīng)用于小家電
產(chǎn)品領(lǐng)域。并提供了過溫、過流、過壓、欠壓等完善的保護功能,保證了系統(tǒng)的可靠性。
通過高壓 MOS 的電流 ID 分成兩個部分,其中一部分為 IS,這部分電流為芯片采樣電流
。IS 與 ID 成比例關(guān)系:

ID = GID ? IS
通過上圖可知:(I S I FB ) ? R2 ? 0.23V
驅(qū)動電源管理芯片SM7055-12主要特性:
拓撲結(jié)構(gòu)支持:低成本 BUCK、 BUCK-BOOST 等方案
采用 730V 單芯片集成工藝
85Vac~265Vac 寬電壓輸入
待機功耗小于 120mW@220Vac
集成高壓啟動電路
集成高壓功率開關(guān)
60KHz 固定開關(guān)頻率
內(nèi)置抖頻技術(shù),提升 EMC 性能
電流模式 PWM 控制方式
內(nèi)置過溫、過流、過壓、欠壓等保護功能
內(nèi)置軟啟動
內(nèi)置智能軟驅(qū)動技術(shù)(提高
EMC 性能)
封裝形式:TO252-2、DIP8
SM7055驅(qū)動電源管理芯片應(yīng)用領(lǐng)域:
電飯煲、電壓力鍋等小家電產(chǎn)品電源
漏源擊穿電壓

DRAIN 端關(guān)斷態(tài)漏電流
源漏端導通電阻
HVDD 開啟電壓
HVDD 關(guān)閉電壓
HVDD 遲滯閾值電壓
HVDD 工作電流
芯片充電電流
從上式可以看出,IFB 電流大,ID 的電流就。籌FB 電流小,ID 的電流就大。當 IFB
的電流大于(0.23V / R2)
時,芯片會關(guān)閉 PWM,同時芯片會自動進入突發(fā)模式。
注(1):芯片要焊接在有 200mm2 銅箔散熱的 PCB 板,銅箔厚度 35um,銅箔連接到所
有的 GND 腳。

上圖為典型的 SM7055-12驅(qū)動電源管理icBUCK-BOOST 電路,其中 C1、C2、L1 組成π型濾波,有益于改善 EMI 特
性;R1 電阻為浪涌抑制元件;D1 為整流二極管,構(gòu)成半波整流電路。
當開關(guān)電源啟動后,C2 電容上的電壓會通過芯片內(nèi)部的高壓啟動 MOS 管向芯片 HVDD 電
容 C3 充電,當
C3 電容電壓達到 11.5V,內(nèi)部高壓啟動 MOS 管關(guān)閉,同時 PWM 開啟,系統(tǒng)開始工作。
當 C3 電容電壓下降到 9V 以下,關(guān)閉 PWM 信號,同時芯片將會產(chǎn)生復位信號,使系統(tǒng)
重新啟動,這就是欠壓保護。
IC 的 DRAIN 腳與 GND 及 HVDD 之間需要開槽,以滿足安規(guī)要求。
初級環(huán)路與測試環(huán)路的走線距離盡量粗而短,以便更容易通過 EMC 測試。