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標(biāo)題PDHID氦離子化檢測(cè)器介紹

   

提供者:上海金凱德分析儀器有限公司    發(fā)布時(shí)間:2010/5/2   閱讀次數(shù):1412次 >>進(jìn)入該公司展臺(tái)

PDHID氦離子化檢測(cè)器介紹

、氦離子化檢測(cè)器的性能優(yōu)勢(shì)
氣體工業(yè)是國(guó)民經(jīng)濟(jì)的基礎(chǔ)行業(yè),隨著國(guó)民經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展,氣體工業(yè)特別是高純和超高純氣體以及電子用氣體行業(yè)也蓬勃發(fā)展。氣體中痕量雜質(zhì)的檢測(cè)是生產(chǎn)高純氣體和電子工業(yè)用氣的關(guān)鍵環(huán)節(jié),而這些氣體中微量雜質(zhì)的分析一直是色譜分析的難點(diǎn),原有的熱導(dǎo)等色譜檢測(cè)器均無法滿足高純氣體分析的要求。
脈沖放電氦離子化檢測(cè)器(PDHID)是一種靈敏度極高的通用型檢測(cè)器,對(duì)幾乎所有無機(jī)和有機(jī)化合物均有很高的響應(yīng),特別適合高純氣體的分析,是唯一能夠檢測(cè)至ng/g(ppb)級(jí)的檢測(cè)器。

氣體分析常用檢測(cè)器性能比較
種類
氦離子化檢測(cè)器
(PDHID)
熱導(dǎo)檢測(cè)器
(TCD)
氧化鋯檢測(cè)器
(ZrO2)
氬離子檢測(cè)器(ArD)
靈敏度
檢測(cè)靈敏度最高,氣體中雜質(zhì)的最小檢測(cè)濃度達(dá)5ppb
檢測(cè)靈敏度較低,很難測(cè)定5ppm以下的雜質(zhì)
檢測(cè)靈敏度較低,只能檢測(cè)0.1ppm 以上濃度的雜質(zhì)
檢測(cè)靈敏度較低,只能檢測(cè)0.05ppm 以上濃度的雜質(zhì)
通用性
通用型檢測(cè)器,對(duì)幾乎所有無機(jī)和有機(jī)物質(zhì)均有很高的響應(yīng),適用于所有高純氣體和電子工業(yè)用氣體
通用型檢測(cè)器
選擇性檢測(cè)器,只能檢測(cè)氣體中H2O2、CH4CO四種雜質(zhì)
選擇性檢測(cè)器,只能檢測(cè)氬氣中組份
放射性
u非放射性檢測(cè)器,使用安全
非放射性
非放射性
放射性檢測(cè)器

二、氦離子化檢測(cè)器(PDHID)的工作原理
PDHID是利用氦中穩(wěn)定的,低功率脈沖放電作電離源,使被測(cè)組分電離產(chǎn)生信號(hào)。PDHID是非放射性檢測(cè)器,對(duì)所有物質(zhì)均有高靈敏度的正響應(yīng)。
1
、脈沖放電間隔和功率:
    PDHID
中放電電極距離為1.6mm,改變充電時(shí)間可改變經(jīng)過初級(jí)線圈的放電功率。充電時(shí)間越長(zhǎng)、功率越大。一般脈沖間隔為200-300μs,充電時(shí)間在40-45μs,基流和響應(yīng)值達(dá)最佳。因放電時(shí)間僅為1μs,而脈沖周期達(dá)幾百微秒,絕大部分時(shí)間放電電極是空載。所以放電區(qū)不會(huì)過熱。
2
、偏電壓:

在放電區(qū)相鄰的電極上加一恒定的負(fù)偏電壓。響應(yīng)值隨偏電壓的增加而急劇增大,很快即達(dá)飽和。在飽和區(qū)響應(yīng)值基本不隨偏電壓而改變。PDHID在飽和區(qū)內(nèi)工作,噪聲較低;髋c偏電壓的關(guān)系同響應(yīng)值與偏電壓。
3
、通過放電區(qū)的氦流速:
   
氦通過放電區(qū)有兩個(gè)目的:a.保持放電區(qū)的潔凈,以便氦被激發(fā);b.它作為尾吹氣加入,以減少被測(cè)組分在檢測(cè)器的滯留時(shí)間。只是它和傳統(tǒng)的尾吹氣加入方向相反。池體積為113ul,對(duì)峰寬為5s的色譜峰,要求氦流速為6.8-13.6ml/min,如果峰寬窄至1s,流速應(yīng)提高到34-68ml/min,以保持被測(cè)組分在檢測(cè)器的滯留時(shí)間短至該峰寬的10%-20%。
4
、電離方式和性能特征:
    PDHID
的電離方式尚不十分明朗,綜合文獻(xiàn)敘述,電離過程有三部分組成:a.氦中放電發(fā)射出13.5-17.7eV的連續(xù)輻射光進(jìn)行光電離;b.被高壓脈沖加速的電子直接電離組分AB,產(chǎn)生信號(hào),或直接電離載氣和雜質(zhì)產(chǎn)生基流;c.亞穩(wěn)態(tài)氦與組分反應(yīng)電離產(chǎn)生信號(hào),或與雜質(zhì)反應(yīng)電離產(chǎn)生基流。.
e + AB→AB+ + 2e
e + He→He**→ He* + hν
He* + AB→AB+ + e + He 

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