二氧化硅比表面及孔結(jié)構(gòu)分析儀

二氧化硅（二氧化硅比表面及孔結(jié)構(gòu)分析儀 貝士德儀器科技有限公司  聯(lián)系人：高楓  電話(huà)：一五九 一零六零 八零三九）又稱(chēng)硅石。在自然界分布很廣，如石英、石英砂等。白色或無(wú)色，含鐵量較高的是淡黃色。密度2.2 ～2.66.熔點(diǎn)1670℃（鱗石英）；1710℃（方石英）。沸點(diǎn)2230℃，相對(duì)介電常數(shù)為3.9。不溶于水微溶于酸，呈顆粒狀態(tài)時(shí)能和熔融堿類(lèi)起作用。用于制玻璃、水玻璃、陶器、搪瓷、耐火材料、硅鐵、型砂、單質(zhì)硅等。

貝士德儀器科技（北京）有限公司是國(guó)內(nèi)外專(zhuān)業(yè)的二氧化硅比表面及孔結(jié)構(gòu)分析儀,比表面積測(cè)定儀,孔隙度分析儀,比表面積測(cè)試儀,比表面積分析儀生產(chǎn)（供應(yīng)）商，主營(yíng)產(chǎn)品有：二氧化硅比表面及孔結(jié)構(gòu)分析儀,比表面積測(cè)定儀,孔隙度分析儀,比表面積測(cè)試儀,比表面積分析儀等,貝士德儀器科技（北京）有限公司不僅具有國(guó)內(nèi)外領(lǐng)先的技術(shù)水平，更有良好的售后服務(wù)和優(yōu)質(zhì)的解決方案,歡迎來(lái)電洽談

3H-2000PS2型靜態(tài)容量二氧化硅比表面及孔結(jié)構(gòu)分析儀

二氧化硅比表面及孔結(jié)構(gòu)分析儀優(yōu)勢(shì)特征：   

◆ 具有國(guó)內(nèi)領(lǐng)先獨(dú)立的高精度飽和蒸汽壓（P0）實(shí)時(shí)測(cè)試站；
◆ 具有國(guó)內(nèi)首家有氦氣和無(wú)氦氣可選測(cè)試功能；（有氦氣可提高死體積測(cè)試精度，降低樣品吸附誤差）
◆ 具有國(guó)內(nèi)領(lǐng)先精確的全自動(dòng)液氮面伺服智能保持系統(tǒng)；
◆ 具有獨(dú)立的真密度測(cè)試功能，可氦氣測(cè)試，精確度高，獨(dú)立報(bào)告；
◆ 具有國(guó)內(nèi)外領(lǐng)先的測(cè)試、脫氣完畢自動(dòng)恢復(fù)常壓功能，防止樣品飛濺；
◆ 先進(jìn)的智能自檢流程，智能判斷樣品管是否安裝，試管夾套是否擰緊有無(wú)漏氣；
◆ 具有國(guó)內(nèi)外首創(chuàng)的樣品預(yù)處理普通模式和分子置換模式兩種模式；
◆ 精確的分壓點(diǎn)控制機(jī)制，可按設(shè)定要求對(duì)重點(diǎn)孔徑段進(jìn)行精細(xì)分析，分析點(diǎn)數(shù)可達(dá)千點(diǎn)；
◆ 清晰形象的圖形化控制界面，并可在界面上進(jìn)行所有硬件的控制操作；
◆ 具有國(guó)內(nèi)唯一的液氮杯防意外“安全下降”智能控制機(jī)制，完全避免了液氮杯意外下降氣體膨脹使樣品管爆裂的危險(xiǎn)；
◆ 超強(qiáng)的穩(wěn)定性，即使意外斷電、斷線(xiàn)，亦不會(huì)丟失當(dāng)前數(shù)據(jù)，且實(shí)驗(yàn)可恢復(fù)繼續(xù)進(jìn)行；
◆ 強(qiáng)大的實(shí)驗(yàn)報(bào)告數(shù)據(jù)庫(kù)化管理功能，可按多種方式進(jìn)行報(bào)告查詢(xún)、比較與分類(lèi)管理；
◆ 數(shù)據(jù)報(bào)告小窗口自動(dòng)預(yù)覽功能，同時(shí)顯示結(jié)果與曲線(xiàn)；
◆ 原始測(cè)試數(shù)據(jù)導(dǎo)出導(dǎo)入，PDF報(bào)告單個(gè)導(dǎo)出、批量導(dǎo)出；
◆ 全程自動(dòng)化智能化運(yùn)行，親和的真人語(yǔ)音操作提示；
◆ 詳盡的儀器運(yùn)行日志顯示與記錄，每次實(shí)驗(yàn)全自動(dòng)過(guò)程中的所有硬件動(dòng)作與流程進(jìn)展的均有記錄，時(shí)間精確到秒，方便過(guò)程查詢(xún)與故障反饋；
◆ 儀器配置芯片記憶功能，實(shí)現(xiàn)人工對(duì)儀器硬件參數(shù)的零配置；
◆ 軟件界面詳盡的操作幫助與指示功能，未經(jīng)培訓(xùn)人員幾乎只需按照幫助信息就可實(shí)現(xiàn)對(duì)軟件的應(yīng)用；
◆ 具有便捷的液氮杯自動(dòng)加蓋；
◆ 軟件界面自定義風(fēng)格轉(zhuǎn)換；
◆具有局域網(wǎng)及INTERNET遠(yuǎn)程控制功能

二氧化硅簡(jiǎn)介
管制信息
　　本品不受管制。但不可帶入飛機(jī)。
名稱(chēng)
　　中文名稱(chēng)：二氧化硅 　　中文別名：硅氧 ,硅土 ,硅石 ,硅酐 ,石英砂 　　英文別名：Silicon dioxide SiO? ,Silicon（IV）oxide ,Silicic anhydride ,Quartz sand 　　CAS號(hào)：14808-60-7[1]
儲(chǔ)存
　　密封保存。
用途
　　硅標(biāo)準(zhǔn)液。水玻璃，硅的化合物的制備材料。在晶體管和集成電路中作雜質(zhì)擴(kuò)散的掩蔽膜和保護(hù)層,制成二氧化硅膜作集成電路器件。玻璃工業(yè)。
AR質(zhì)檢信息指標(biāo)值
　　水可溶物，% ≤0.2 　　重金屬（以Pb計(jì)），% ≤0.005 　　鈣（Ca），% ≤0.005 　　鐵（Fe），% ≤0.005 　　氯化物（Cl），% ≤0.005 　　硫酸鹽（SO4），% ≤0.005 　　氫氟酸中不揮發(fā)物，% ≤1.0 　　干燥失量，% ≤3.0
編輯本段性質(zhì)
物理性質(zhì)
　　[1]二氧化硅又稱(chēng)硅石，化學(xué)式SiO?。自然界中存在有結(jié)晶二氧化硅和無(wú)定形二氧化硅兩種。  沙狀二氧化硅
結(jié)晶二氧化硅因晶體結(jié)構(gòu)不同，分為石英、鱗石英和方石英三種。純石英為無(wú)色晶體，大而透明棱柱狀的石英叫水晶。若含有微量雜質(zhì)的水晶帶有不同顏色，有紫水晶、茶晶、墨晶等。普通的砂是細(xì)小的石英晶體，有黃砂（較多的鐵雜質(zhì)）和白砂（雜質(zhì)少、較純凈）。二氧化硅晶體中，硅原子的4個(gè)價(jià)電子與4個(gè)氧原子形成4個(gè)共價(jià)鍵，硅原子位于正四面體的中心，4個(gè)氧原子位于正四面體的4個(gè)頂角上，SiO?是表示組成的最簡(jiǎn)式，僅是表示二氧化硅晶體中硅和氧的原子個(gè)數(shù)之比。二氧化硅是原子晶體。 　　SiO?中Si—O鍵的鍵能很高，熔點(diǎn)、沸點(diǎn)較高（熔點(diǎn)1723℃，沸點(diǎn)2230℃）。 　　自然界存在的硅藻土是無(wú)定形二氧化硅，是低等水生植物硅藻的遺體，為白色固體或粉末狀，多孔、質(zhì)輕、松軟的固體，吸附性強(qiáng)。
化學(xué)性質(zhì)
　　化學(xué)性質(zhì)比較穩(wěn)定。不溶于水也不跟水反應(yīng)。是酸性氧化物，不跟一般酸反應(yīng)。氣態(tài)氟化氫跟二氧化硅反應(yīng)生成氣態(tài)四氟化硅。跟熱的濃強(qiáng)堿溶液或熔化的堿反應(yīng)生成硅酸鹽和水。跟多種金屬氧化物在高溫下反應(yīng)生成硅酸鹽。用于制造石英玻璃、光學(xué)儀器、化學(xué)器皿、普通玻璃、耐火材料、光導(dǎo)纖維，陶瓷等。二氧化硅的性質(zhì)不活潑，它不與除氟、氟化氫以外的鹵素、鹵化氫以及硫酸、硝酸、高氯酸作用（熱濃磷酸除外）。常見(jiàn)的濃磷酸（或者說(shuō)焦磷酸）在高溫下即可腐蝕二氧化硅，生成雜多酸[2]，高溫下熔融硼酸鹽或者硼酐亦可腐蝕二氧化硅，鑒于此性質(zhì)，硼酸鹽可以用于陶瓷燒制中的助熔劑，除此之外氟化氫也可以可使二氧化硅溶解的酸，生成易溶于水的氟硅酸： SiO? + 4HF = SiF4↑ + 2H?O 　　酸氧通性： 　　二氧化硅與堿性氧化物 　　SiO? + CaO =（高溫） CaSiO3 　　二氧化硅能溶于濃熱的強(qiáng)堿溶液： 　　SiO? + 2NaOH = Na2SiO3+ H?O 　�。ㄊ�堿的試劑瓶不能用玻璃塞而用橡膠塞的原因） 　　在高溫下，二氧化硅能被碳、鎂、鋁還原： 　　SiO?+2C=（高溫）Si+2CO↑ 　　若c過(guò)量，則發(fā)生反應(yīng)： 　　Si+C=高溫=SiC（金剛砂） 　　硅酸酸酐：二氧化硅（SiO2）�！� 　　二氧化硅不與水反應(yīng)，即與水接觸不生成硅酸，但人為規(guī)定二氧化硅為硅酸的酸酐。

礦物介紹
　　二氧化硅礦物是指化學(xué)式相同（SiO?），但結(jié)構(gòu)有差異的礦物，這些礦物統(tǒng)稱(chēng)為類(lèi)質(zhì)異像體，主要包括石英、方石英和鱗石英。這些礦物在地球上主要存于花崗巖、砂巖和黑硅巖中，而月球上幾乎缺乏，主要原因是：化學(xué)成分演化上，月球形成一個(gè)低硅、高鋁的月殼，高硅的花崗質(zhì)巖石極為稀少；月球在演化上缺乏像地球一樣有一個(gè)可以結(jié)晶出二氧化硅礦物的水系和熱水體系。盡管二氧化硅礦物在月球巖石上極為稀少，但對(duì)月球巖石的分類(lèi)和成因的研究具有重要的作用。   二氧化硅抗結(jié)劑
　　月球上的石英礦物最早是在幾塊類(lèi)花崗巖碎處中發(fā)現(xiàn)的，在霏細(xì)巖中同時(shí)也充填了不少方石英礦物，從其微細(xì)結(jié)構(gòu)和成分的分析表明，這些石英實(shí)際上是由方石英變化過(guò)來(lái)的。后來(lái)在粗晶狀的月球花崗巖碎塊中也發(fā)現(xiàn)有石英礦物，根據(jù)其同位素的分析結(jié)果，這些礦物是41億年左右，在較深的環(huán)境下結(jié)晶形成的，說(shuō)明這些石英不是在巖漿巖形成期間結(jié)晶形成的。 　　月海武巖中的二氧化硅礦物絕大多數(shù)是方石英，體積百分?jǐn)?shù)最多可達(dá)5%，幾乎沒(méi)有石英礦物，只有在細(xì)晶狀月海玄武巖中才存在少量的石英礦物，這些方石英具有典型的雙晶結(jié)構(gòu)表明：在熔漿冷卻過(guò)程中，從高溫到低溫條件下形成的方石英都有。另外，在一些粗晶狀的月海玄武巖中也同時(shí)存在方石英和鱗石英，但從結(jié)構(gòu)特征看，方石英是由鱗石英轉(zhuǎn)變的，因?yàn)轺[石英一般是鑲嵌在于不規(guī)則的顆粒之間。

二氧化硅比表面及孔結(jié)構(gòu)分析儀性能簡(jiǎn)介：
測(cè)試方法： 靜態(tài)容量法
分析站數(shù)量：具有2個(gè)樣品分析站，1個(gè)P0測(cè)試站，2個(gè)樣品脫氣站；
測(cè)試精度： 測(cè)試精度高、重現(xiàn)性好。重復(fù)性誤差小于±2%；
測(cè)試范圍：比表面0.01m2/g以上，微孔0.35-2nm；介孔2-50nm；大孔50-500nm；樣品類(lèi)型:粉末,顆粒,纖維及片狀材料等可裝入樣品管的材料。
測(cè)試氣體種類(lèi)：N2，及其它吸附氣體CO2，Ar，Kr,He、甲烷（CH4）、苯（C6H6）、甲苯（C7H8）、乙醇（C2H5OH）等；
P0測(cè)試：具有獨(dú)立的飽和蒸汽壓（P0）測(cè)試站，保證分壓測(cè)試的高準(zhǔn)確性；
壓力測(cè)試：原裝進(jìn)口壓力傳感器；壓力測(cè)試范圍0-1.6bar（0-160KPa），精度誤差≤0.15%；微孔段分壓P/P0可達(dá)到1*10-7，點(diǎn)數(shù)大于50個(gè)；大孔段具有P0的實(shí)時(shí)測(cè)試功能，使P/P0在趨于靈界點(diǎn)時(shí)的控制精度達(dá)到0.998。
樣品預(yù)處理： 同時(shí)處理樣品數(shù)量：2個(gè)；兩路脫氣站具有獨(dú)立溫控，并具有獨(dú)立定時(shí)功能，可支持與測(cè)試同步進(jìn)行的不同溫度與不同時(shí)間的樣品脫氣處理；
樣品預(yù)處理模式：具有國(guó)內(nèi)唯一的“普通加熱抽真空分子擴(kuò)散模式”和“分子置換模式”兩種可選功能；分子置換模式相對(duì)分子擴(kuò)散模式效率提高1倍以上，可節(jié)省一半以上的預(yù)處理時(shí)間，解決以往靜態(tài)法樣品制備時(shí)間長(zhǎng)的問(wèn)題；
二氧化硅比表面及孔結(jié)構(gòu)分析儀測(cè)試效率： 智能投氣量控制，中小吸附量樣品2-3min/分壓點(diǎn)，中大吸附量樣品3-5min/分壓點(diǎn)；BET多點(diǎn)法15-30min/1個(gè)樣品；BET單點(diǎn)法6-10min/1個(gè)樣品；標(biāo)準(zhǔn)孔徑測(cè)試60-120min/1個(gè)樣品；精細(xì)孔徑測(cè)試120-300min/1個(gè)樣品；以上測(cè)試時(shí)間不包含樣品預(yù)處理時(shí)間；
液氮面控制：具有液氮面伺服保持系統(tǒng)，消除測(cè)試過(guò)程中由于液氮揮發(fā)使液氮面變化而帶來(lái)的死體積變化，提高測(cè)試精度；
圖形化控制界面：親和的控制監(jiān)視界面，將復(fù)雜的儀器工作狀態(tài)以結(jié)構(gòu)圖的形式展現(xiàn)，使儀器的工作狀態(tài)一目了然，并可在結(jié)構(gòu)圖上對(duì)各個(gè)閥門(mén)、真空泵、氮杯升降梯、溫控等所有硬件進(jìn)行操作，賞心悅目；
二氧化硅比表面及孔結(jié)構(gòu)分析儀智能自檢系統(tǒng)：儀器具有硬件自檢和氣路氣密性自檢功能，能夠自動(dòng)檢測(cè)樣品管是否安裝、試管夾套是否擰緊，并檢查并確定漏氣位置，給出文字提示和語(yǔ)音提示。
語(yǔ)音提示：具有獨(dú)特的智能語(yǔ)音提示功能；
遠(yuǎn)程控制：可通過(guò)局域網(wǎng)或INTER網(wǎng)遠(yuǎn)程對(duì)儀器進(jìn)行操作，此功能主要方便售后及操作者可在辦公室實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程對(duì)實(shí)驗(yàn)室內(nèi)儀器的操作控制及測(cè)試過(guò)程；

二氧化硅比表面及孔結(jié)構(gòu)分析儀測(cè)試?yán)碚撆c報(bào)告內(nèi)容：

 1、吸附、脫附等溫線(xiàn)；
 2、BET單點(diǎn)法比表面SBET-O
 3、BET多點(diǎn)法比表面SBET-M  ，BET常數(shù)CBET     
 4、朗格繆爾（Langmuir）比表面S Langmuir ，朗格繆爾平衡常數(shù)b Langmuir  
 5、統(tǒng)計(jì)吸附層厚度法外比表面（STSA）S外
 6、粒度估算報(bào)告和真密度；
 7、BJH法孔容孔徑分布；（微分、積分孔體積、孔面積、孔徑分布，柱狀圖、曲線(xiàn)圖）
 8、MK-plate法（平行板模型）孔容孔徑分布（為BJH法的補(bǔ)充，適合對(duì)片層狀結(jié)構(gòu)材料分析）；
 9、t-plot法（Boder）微孔分析；（V-t圖，t法微孔孔徑分布圖）
 10、MP法（Brunauer） 微孔分析；（V-t圖，微孔孔徑分布圖）（該方法考慮到不同材料吸附常數(shù)不同的因素，較t-plot法接近真實(shí)值）
 11、D-R法（Dubinin- Astakhov）微孔分析；

玻璃及玻璃刻字
　　[1]平板玻璃、浮法玻璃、玻璃制品（玻璃罐、玻璃瓶、玻璃管等）、光學(xué)玻璃、玻璃纖維、玻璃儀器、導(dǎo)電玻璃、玻璃布及防射線(xiàn)特種玻璃等的主要原料。 　　特殊用途：玻璃刻字：先在玻璃瓶上涂一層石蠟,再用銳器刻上字,再用氫氟酸在刻字的蠟上涂抹一遍，.稍等片刻字跡即可顯現(xiàn)出來(lái)。原理：氫氟酸腐蝕二氧化硅。
陶瓷及耐火材料
　　瓷器的胚料和釉料，窯爐用高硅磚、普通硅磚以及碳化硅等的原料。
冶金
　　硅金屬、硅鐵合金和硅鋁合金等的原料或添加劑、熔劑。
建筑
　　混凝土、膠凝材料、筑路材料、人造大理石、水泥物理性能檢驗(yàn)材料（即水泥標(biāo)準(zhǔn)砂）等。
化工
　　硅化合物和水玻璃等的原料，硫酸塔的填充物，無(wú)定形二氧化硅可作為吸附劑來(lái)使用。
機(jī)械
　　鑄造型砂的主要原料，研磨材料（噴砂、硬研磨紙、砂紙、砂布等）。.
電子
　　高純度金屬硅、通訊用光纖等。 　　在微電子工藝中, SiO 2 薄膜因其優(yōu)越的電絕緣性和工藝的可行性而被廣泛采用。在半導(dǎo)體器件中, 利用SiO 2 禁帶寬度可變的特性, 可作為非晶硅太陽(yáng)電池的薄膜光吸收層, 以提高光吸收效率; 還可作為金屬2氮化物2氧化物2半導(dǎo)體（MN SO ） 存儲(chǔ)器件中的電荷存儲(chǔ)層, 集成電路中CMOS 器件和SiGeMOS 器件以及薄膜晶體管（TFT ） 中的柵介質(zhì)層等。此外, 隨著大規(guī)模集成電路器件集成度的提高, 多層布線(xiàn)技術(shù)變得愈加重要, 如邏輯器件的中間介質(zhì)層將增加到4～ 5 層, 這就要求減小介質(zhì)層帶來(lái)的寄生電容。鑒于此, 現(xiàn)在很多研究者都對(duì)低介電常數(shù)介質(zhì)膜的種類(lèi)、制備方法和性能進(jìn)行了深入研究。對(duì)新型低介電常數(shù)介質(zhì)材料的要求是: 在電性能方面具有低損耗和低耗電; 在機(jī)械性能方面具有高附著力和高硬度; 在化學(xué)性能方面要求耐腐蝕和低吸水性; 在熱性能方面有高穩(wěn)定性和低收縮性。目前普遍采用的制備介質(zhì)層的SiO 2, 其介電常數(shù)約為4. 0, 并具有良好的機(jī)械性能。如用于硅大功率雙極晶體管管芯平面和臺(tái)面鈍化, 提高或保持了管芯的擊穿電壓, 并提高了晶體管的穩(wěn)定性。這種技術(shù), 完全達(dá)到了保護(hù)鈍化器件的目的, 使得器件的性能穩(wěn)定、可靠, 減少了外界對(duì)芯片沾污、干擾, 提高了器件的可靠性能。 　　20 世紀(jì)80 年代末期, Si 基SiO2 光波導(dǎo)無(wú)源和有源器件的研究取得了長(zhǎng)足的發(fā)展, 使這類(lèi)器件不僅具有優(yōu)良的傳導(dǎo)特性, 還將具備光放大、發(fā)光和電光調(diào)制等基本功能, 在光學(xué)集成和光電集成器件方面很有應(yīng)用前景, 可作為波導(dǎo)膜、減反膜和增透膜。隨著光通信及集成光學(xué)研究的飛速發(fā)展, 玻璃薄膜光波導(dǎo)被廣泛應(yīng)用于光無(wú)源器件及集成光路中。制備性能良好的用作光波導(dǎo)的薄膜顯得至關(guān)重要。集成光路中光波導(dǎo)的一般要求: 單模傳輸、低傳輸損耗、同光纖耦合效率高等。波導(dǎo)損耗來(lái)源主要分為材料吸收、基片損耗、散射損耗三部分。通過(guò)選用表面粗糙度高、平整的光學(xué)用玻璃片或預(yù)先濺射足夠厚的SiO2 薄膜的普通玻璃基片, 使波導(dǎo)模瞬間場(chǎng)分布遠(yuǎn)離粗糙表面,以減少基底損耗。激光器用減反膜的研究也取得了很大的進(jìn)展。中國(guó)工程物理研究院與化學(xué)所用溶膠凝膠法成功地研制出紫外激光SiO2 減反膜。結(jié)果表明, 浸入涂膜法制備的多孔SiO2 薄膜比早期的真空蒸發(fā)和旋轉(zhuǎn)涂膜法制備的SiO2 薄膜有更好的減反射效果。在波長(zhǎng)350nm 處的透過(guò)率達(dá)到98%以上, 紫外區(qū)的最高透過(guò)率達(dá)到99%以上。該SiO2 薄膜有望用于慣性約束聚變（ ICF） 和X 光激光研究的透光元件的減反射膜。目前在溶膠凝膠工藝制備保護(hù)膜、增透膜方面也取得了一些進(jìn)展。此法制備的SiO2 光學(xué)薄膜在慣性約束聚變的激光裝置中已成為一種重要的手段,廣泛地應(yīng)用于增透光學(xué)元件上, 如空間濾波器、窗口、靶室窗口或打靶透鏡。在諧波轉(zhuǎn)換元件KDP晶體上用溶膠工藝鍍制保護(hù)、增透膜,能改善KDP 晶體的工作條件,提高諧波光束的質(zhì)量與可聚焦功率。
橡膠、塑料
　　在橡膠中添加二氧化硅，可提高橡膠的耐磨度。 　　可降低輪胎滾動(dòng)阻力的同時(shí)可改善輪胎的耐磨性和抗?jié)窕�性�?　　使用二氧化硅的膠料拉伸強(qiáng)度、撕裂強(qiáng)度、耐磨性等均有提高。
涂料
　　填料（可提高涂料的耐候性）、可用來(lái)生產(chǎn)消光劑，亦可以作為涂料增稠劑。
食品、藥品
　　在食品工業(yè)中主要用于防止粉狀食品聚集結(jié)塊，以保持自由流動(dòng)的一類(lèi)食品添加劑或用于吸附液態(tài)的香料、油脂、維生素等，使之成為粉末狀，如粉末油脂、固體香料和固體酒之類(lèi)制品。（例：奶粉） 　　在藥品生產(chǎn)中可作為助流劑、催化劑載體等。
編輯本段危害
　　二氧化硅在日常生活、生產(chǎn)和科研等方面有著重要的用途，但有時(shí)也會(huì)對(duì)人體造成危害。  二氧化硅粉末
二氧化硅的粉塵極細(xì)，比表面積達(dá)到100㎡/g以上可以懸浮在空氣中，如果人長(zhǎng)期吸入含有二氧化硅的粉塵，就會(huì)患硅肺�。ㄒ蚬枧f稱(chēng)為矽，硅肺舊稱(chēng)為矽肺）。 　　硅肺是一種職業(yè)病，它的發(fā)生及嚴(yán)重程度，取決于空氣中粉塵的含量和粉塵中二氧化硅的含量，以及與人的接觸時(shí)間等。長(zhǎng)期在二氧化硅粉塵含量較高的地方，如采礦、翻砂、噴砂、制陶瓷、制耐火材料等場(chǎng)所工作的人易患此病。 　　因此，在這些粉塵較多的工作場(chǎng)所，應(yīng)采取嚴(yán)格的勞動(dòng)保護(hù)措施，采用多種技術(shù)和設(shè)備控制工作場(chǎng)所的粉塵含量，以保證工作人員的身體健康。
編輯本段二氧化硅（SiO2）薄膜的制備
　　針對(duì)不同的用途和要求,很多SiO2薄膜的制備方法得到了發(fā)展與應(yīng)用,主要有化學(xué)氣相淀積（CVD），物理氣相淀積，熱氧化法，溶膠凝膠法和液相沉積法等。
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法（PECVD）
　　這種技術(shù)利用輝光放電,在高頻電場(chǎng)下使稀薄氣體電離產(chǎn)生等離子體,這些離子在電場(chǎng)中被加速而獲得能量,可在較低溫度下實(shí)現(xiàn)SiO2薄膜的沉積。這種方法的特點(diǎn)是沉積溫度可以降低,一般可從LPCVD中的700℃下降至200℃,且生長(zhǎng)速率快,可準(zhǔn)確控制沉積速率（約1nm/s）,生成的薄膜結(jié)構(gòu)致密;缺點(diǎn)是真空度低,從而使薄膜中的雜質(zhì)含量（Cl、O）較高,薄膜硬度低,沉積速率過(guò)快而導(dǎo)致薄膜內(nèi)柱狀晶嚴(yán)重,并存在空洞等。 　　目前已發(fā)展了雙源等離子體CVD、電子回旋共振等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（ECR2PECVD）、微波等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（MPECVD）[10]等技術(shù)。采用開(kāi)放式2.45GHzECR2PECVD裝置,產(chǎn)生低能量、低氣壓、高密度的等離子體,并將一個(gè)可獨(dú)立調(diào)節(jié)和控制的13.56MHz的射頻偏壓加在待沉積的單面拋光Si（100）基片上,用SiH4、O2和Ar氣體作為反應(yīng)氣體來(lái)制備SiO2薄膜。結(jié)果表明,通過(guò)改變射頻偏壓來(lái)控制離子轟擊能量,使ECR2PECVD成膜的內(nèi)應(yīng)力、濺射現(xiàn)象、微觀結(jié)構(gòu)和化學(xué)計(jì)量均受到很大程度的影響。
磁控濺射沉積
　　SiO2靶的射頻濺射法是制備SiO2薄膜的主要方法之一。這種方法在低溫下制備的SiO2薄膜,具有多孔結(jié)構(gòu),致密度低,因而抗侵蝕能力差;而在較高溫度下制備的薄膜,具有較高的致密度和較好的性能。所以,在通常情況下,襯底溫度選擇為300～600℃。其缺點(diǎn)是導(dǎo)致器件易受到熱傷害,使一些性能指標(biāo)降低。隨后發(fā)展起來(lái)的磁控射頻濺射技術(shù),能達(dá)到快速和低溫的要求,不僅彌補(bǔ)了射頻濺射的缺點(diǎn),大大減小了電子對(duì)襯底表面直接轟擊造成的損傷,且能在較低的功率和氣壓下工作。絕緣體和導(dǎo)體均可濺射,工藝簡(jiǎn)單,襯底溫度低,薄膜厚度的可控性、重復(fù)性及均勻性與其他薄膜制備方法相比有明顯的改善和提高,因而得到了廣泛使用。許生等使用140mm×600mm的硅靶,頻率為40kHz的中頻電源,以Ar為濺射氣體,O2為反應(yīng)氣體,成功地制備了SiO2薄膜,并對(duì)制備的SiO2薄膜的化學(xué)配比和元素化學(xué)態(tài)進(jìn)行了掃描俄歇譜（SAM）和X射線(xiàn)光電子能譜（XPS）分析,測(cè)試了膜層對(duì)鈉離子（Na+）的阻擋性能、光學(xué)折射率和可見(jiàn)光透過(guò)率。
熱氧化法
　　熱氧化工藝是在高溫下（900～ 1 200 ℃） 使硅片表面氧化形成SiO2 膜的方法, 包括干氧氧化、濕氧氧化以及水汽氧化。采用干氧氣氛下的高溫氧化, 生長(zhǎng)厚度為10 nm 左右的SiO 2 所需的氧化時(shí)間很短, 常規(guī)電阻絲加熱氧化爐無(wú)法控制如此短的氧化時(shí)間。而采用高溫下的低壓氧化方法, 氧化時(shí)間將增加, 常規(guī)氧化爐可以控制較長(zhǎng)的氧化時(shí)間, 但是較長(zhǎng)時(shí)間的高溫工藝過(guò)程會(huì)引起摻入雜質(zhì)的再分布, 這是超大規(guī)模集成電路制作工藝中所不希望的。 　　為了解決以上問(wèn)題, 出現(xiàn)了一種制備超薄SiO 2 薄膜的新方法——快速熱工藝氧化法, 或稱(chēng)快速熱氧化法 。這種方法采用快速熱工藝系統(tǒng), 精確地控制高溫短時(shí)間的氧化過(guò)程, 獲得了性能優(yōu)良的超薄SiO2 薄膜。譬如硅烷低溫氧化沉積SiO 2 薄膜, 溫度在400 ℃左右, 在含氧的氣氛中硅烷（SiH4） 在襯底表面上熱分解, 并與氧氣反應(yīng)生成SiO 2, 其化學(xué)反應(yīng)式為: SiH4+ 2O 2SiO 2↓+ 2H2O ↑（或H2↑）。為了防止硅烷自燃, 通常使用氮?dú)饣驓鍤庀♂尮柰�。在這些條件下生長(zhǎng)的薄膜, 具有較高的絕緣強(qiáng)度和相當(dāng)快的生長(zhǎng)速度。這種方法的特點(diǎn)是設(shè)備簡(jiǎn)單, 溫度低, 不生成氣態(tài)有機(jī)原子團(tuán), 生長(zhǎng)速率快, 膜厚容易控制; 缺點(diǎn)是大面積均勻性差, 結(jié)構(gòu)較疏松, 腐蝕速度較快, 且氣體管道中易出現(xiàn)硅烷氧化, 形成白粉, 因而沉積SiO 2 粉塵的污染在所難免。

二氧化硅比表面及孔結(jié)構(gòu)分析儀控制系統(tǒng)：

1、強(qiáng)大而穩(wěn)定的控制系統(tǒng)；儀器具有實(shí)時(shí)的數(shù)據(jù)與狀態(tài)保存功能，即使發(fā)生通訊中斷、意外斷電等意外情況，儀器重啟后任然能夠恢復(fù)測(cè)試數(shù)據(jù)，進(jìn)入測(cè)試流程繼續(xù)測(cè)試；
2、具有智能而安全的液氮杯升降控制系統(tǒng)，該系統(tǒng)的關(guān)鍵點(diǎn)在于，當(dāng)發(fā)生意外斷電或設(shè)備重啟時(shí)，可以避免重啟設(shè)備后操作人員冒然下降液氮杯，溫度升高后，樣品管內(nèi)吸附氣體迅速溢出，使樣品管爆裂的危險(xiǎn)；
3、優(yōu)化的真空泵啟停管理系統(tǒng)，在測(cè)試過(guò)程中真空泵無(wú)需一直處于運(yùn)行狀態(tài)，減小噪音，延長(zhǎng)真空泵壽命；
4、詳盡的儀器運(yùn)行日志記錄功能；該儀器運(yùn)行日志在儀器運(yùn)行過(guò)程中自動(dòng)記錄儀器的每一條命令與執(zhí)行結(jié)果，包括閥門(mén)的開(kāi)關(guān)、泵的啟停，原始采集數(shù)據(jù)等，時(shí)間精確到秒。該日志為儀器的可靠運(yùn)行與售后提供保障；
二氧化硅比表面及孔結(jié)構(gòu)分析儀測(cè)試配件：

1、40升高純氮，純度≥99.999%，平均使用時(shí)間2-3年；
2、貝士德雙級(jí)真空泵，永不返油，極限真空：4-6*10-2Pa；
3、其它配件見(jiàn)配置單；

二氧化硅比表面及孔結(jié)構(gòu)分析儀客戶(hù)服務(wù).

◆ 售前服務(wù)
 
    貝士德公司對(duì)客戶(hù)提供樣品免費(fèi)試測(cè)，以方便客戶(hù)采購(gòu)前的調(diào)研比對(duì)，了解測(cè)試數(shù)據(jù)與國(guó)外儀器的差別；另外我們提供多次測(cè)試，以方便客戶(hù)評(píng)價(jià)儀器測(cè)試的重復(fù)性及穩(wěn)定性。如果欲采購(gòu)客戶(hù)需要了解儀器在使用單位的使用情況和效果，我公司可以提供使用廠(chǎng)家電話(huà)咨詢(xún)了解。

◆ 售后服務(wù)
 
作為一個(gè)專(zhuān)業(yè)的二氧化硅比表面及孔結(jié)構(gòu)分析儀的生產(chǎn)廠(chǎng)家，貝士德公司在提供性能優(yōu)良，質(zhì)量可靠的儀器的同時(shí)，還將提供周到的售后服務(wù)，徹底解除用戶(hù)的后顧之憂(yōu)。

1.安裝、調(diào)試、培訓(xùn)、運(yùn)輸：免費(fèi)為用戶(hù)安裝、調(diào)試、培訓(xùn)、運(yùn)輸并送貨上門(mén)。
2.保修期：在保修期內(nèi)免費(fèi)為用戶(hù)提供維修等服務(wù)。
3.軟件升級(jí)：為用戶(hù)免費(fèi)提供軟件升級(jí)服務(wù)，此項(xiàng)服務(wù)不受保修期限制。
4.零配件供應(yīng)：長(zhǎng)期供應(yīng)零配件、易損件。
5.服務(wù)方式與時(shí)效：
熱線(xiàn)電話(huà)：全國(guó)統(tǒng)一咨詢(xún)電話(huà)：400-6757-456，公司的技術(shù)人員、銷(xiāo)售人員將隨時(shí)為您提供咨詢(xún)服務(wù)。
網(wǎng)站：公司網(wǎng)站提供公司介紹、產(chǎn)品介紹、軟件下載、資料下載、技術(shù)交流、技術(shù)講座、公司動(dòng)態(tài)等內(nèi)容。
上門(mén)服務(wù)：公司服務(wù)部的技術(shù)人員將根據(jù)用戶(hù)的請(qǐng)求隨時(shí)提供上門(mén)服務(wù)，從接到請(qǐng)求之時(shí)起一般不超過(guò)48小時(shí)到達(dá)，并實(shí)行定期或不定期回訪(fǎng)用戶(hù)制度。
電子郵件：公司有專(zhuān)門(mén)人員處理和發(fā)送電子郵件，將隨時(shí)接受您發(fā)來(lái)的郵件，并為您發(fā)送如測(cè)試結(jié)果、儀器資料、軟件等信息。
信件：備有詳細(xì)公司及產(chǎn)品的介紹材料，我們將隨時(shí)通過(guò)EMS、DHL等方式郵寄到您的手中。

◆ 經(jīng)銷(xiāo)商服務(wù)
我公司的系列產(chǎn)品銷(xiāo)售以直銷(xiāo)和經(jīng)銷(xiāo)商渠道銷(xiāo)售相結(jié)合的方式，熱烈歡迎有意向的經(jīng)銷(xiāo)商加盟合作，以實(shí)現(xiàn)經(jīng)銷(xiāo)商渠道和我公司的產(chǎn)品技術(shù)優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，實(shí)現(xiàn)合作共贏。我們將為經(jīng)銷(xiāo)商提供完善的支持服務(wù)和優(yōu)秀的產(chǎn)品。

針對(duì)經(jīng)銷(xiāo)商的服務(wù)主要包括：

1.所有產(chǎn)品的詳細(xì)介紹，精美宣傳彩頁(yè)。
2.全系列產(chǎn)品的售前與售后技術(shù)支持。
2.產(chǎn)品應(yīng)用行業(yè)及領(lǐng)域的詳細(xì)介紹與分析，產(chǎn)品及相關(guān)知識(shí)培訓(xùn)。
4.專(zhuān)業(yè)的售中支持，協(xié)助經(jīng)銷(xiāo)商投標(biāo)過(guò)程中的標(biāo)書(shū)制作，解答投標(biāo)過(guò)程二氧化硅比表面及孔結(jié)構(gòu)分析儀的技術(shù)問(wèn)題。
5.提供給經(jīng)銷(xiāo)商極具競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品價(jià)格，確保經(jīng)銷(xiāo)商及最終用戶(hù)利益。
6.提供戰(zhàn)略框架協(xié)議，實(shí)現(xiàn)優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)

二氧化硅比表面及孔結(jié)構(gòu)分析儀產(chǎn)品相關(guān)關(guān)鍵詞：
全自動(dòng)智能比表面積儀及中孔微孔分布測(cè)試儀,BET法比表面儀,比表面積測(cè)試儀,氮吸附比表面積測(cè)定儀,比表面檢測(cè)儀,比表面測(cè)量?jī)x,比表面積檢測(cè)儀,介孔微孔分布測(cè)定儀,比表面積測(cè)量?jī)x,BET比表面積分析儀,比表面測(cè)定儀,比表面測(cè)試儀,BET比表面分析儀,孔容積測(cè)定儀,孔徑分析儀,孔徑檢測(cè)儀,孔徑測(cè)量?jī)x,孔徑分布測(cè)定儀,孔隙度分析儀,介孔微孔分布分析儀,孔容積分析儀,孔徑分布檢測(cè)儀,孔徑分布測(cè)量?jī)x,二氧化硅比表面及孔結(jié)構(gòu)分析儀,二氧化硅比表面及孔結(jié)構(gòu)分析儀,二氧化硅比表面及孔結(jié)構(gòu)分析儀,二氧化硅比表面及孔結(jié)構(gòu)分析儀,孔結(jié)構(gòu)分析儀,孔徑測(cè)定儀,孔隙度檢測(cè)儀,孔隙度測(cè)量?jī)x,平均孔徑測(cè)試儀,介孔微孔分布測(cè)量?jī)x,孔結(jié)構(gòu)檢測(cè)儀,孔結(jié)構(gòu)測(cè)量?jī)x,總孔體積分析儀,孔容積測(cè)試儀,孔體積分析儀,孔體積檢測(cè)儀,孔體積測(cè)量?jī)x,平均孔徑測(cè)定儀,二氧化硅比表面及孔結(jié)構(gòu)分析儀,孔徑測(cè)試儀,孔徑分布測(cè)試儀,二氧化硅比表面及孔結(jié)構(gòu)分析儀,二氧化硅比表面及孔結(jié)構(gòu)分析儀,總孔體積測(cè)定儀,介孔微孔分布檢測(cè)儀,孔體積測(cè)試儀,平均孔徑分析儀,總孔體積檢測(cè)儀,總孔體積測(cè)量?jī)x,孔隙度測(cè)定儀,孔徑分布分析儀,平均孔徑檢測(cè)儀,平均孔徑測(cè)量?jī)x,孔結(jié)構(gòu)測(cè)定儀,總孔體積測(cè)試儀,二氧化硅比表面及孔結(jié)構(gòu)分析儀,孔結(jié)構(gòu)測(cè)試儀,二氧化硅比表面及孔結(jié)構(gòu)分析儀,孔體積測(cè)定儀,孔隙度測(cè)試儀,二氧化硅比表面及孔結(jié)構(gòu)分析儀等是粉體和顆粒材料的比表面積及孔徑（孔隙度）分布的檢測(cè)分析儀器.

二氧化硅比表面及孔結(jié)構(gòu)分析儀應(yīng)用領(lǐng)域：
適用于吸附劑（如活性碳,硅膠,活性氧化鋁,分子篩,活性炭,硅酸鈣,海泡石,沸石等）;
陶瓷原材料（如氧化鋁,氧化鋯,硅酸鹽,氮化鋁,二氧化硅,氧化釔,氮化硅,石英,碳化硅等）;
橡塑材料補(bǔ)強(qiáng)劑（如炭黑,白碳黑,納米碳酸鈣,碳黑,白炭黑等）;
電池材料（如鈷酸鋰,錳酸鋰,石墨,鎳鈷酸鋰,氧化鈷,磷酸鐵鋰,鈦酸鋰,三元素,三元素材料,聚合物,聚合物材料,聚合物電池材料,堿錳材料,鋰離子材料,鋰錳材料,堿性材料,鋅錳材料,石英粉,鎂錳材料,碳性材料,鋅空材料,鋅汞材料,乙炔黑,鎳氫材料,鎳鎘材料,隔膜,活性物資,添加劑,導(dǎo)電劑,緩蝕劑,錳粉,電解二氧化錳,石墨粉,氫氧化亞鎳,泡沫鎳,改性石墨材料,正極活性物質(zhì),負(fù)極活性物質(zhì),鋅粉等）;金屬氧化物（如氧化鋅,氧化鈣,氧化鈉,氧化鎂,氧化鋇,氧化鐵,氧化銅等）;
磁性粉末材料（如四氧化三鐵,鐵氧體,氧化亞鐵等）;
納米金屬材料（如納米銀粉,鐵粉,銅粉,鎢粉,鎳粉,鋁粉,鈷粉等）;
環(huán)保行業(yè)（如顏填料,柱填料,無(wú)機(jī)顏料,碳酸鈣,氧化硅,礦物粉,沉積物,懸浮物等）;
無(wú)機(jī)粉體材料（如氧化鈦,鈦白粉,二氧化鈦等）;
納米材料（如納米粉體材料,納米陶瓷材料等）;
稀土,煤炭（粉煤灰）,水泥（礦渣粉）,儲(chǔ)能材料,催化劑（硅藻土）,凈化劑,助濾劑,土壤,黏土,石油斷裂劑,發(fā)光稀土粉末材料（熒光粉）,粉體材料,粉末材料,超細(xì)纖維,多孔織物,復(fù)合材料等粉體和顆粒材料的比表面積及孔徑的檢測(cè)分析,廣泛適用于高校及科研院所材料研究和粉體材料生產(chǎn)企業(yè)產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)控.