CX7509采用SOP一8封裝，最大功率16W。CX7509使用原邊取樣來進(jìn)行精確的恒流、恒壓控制，可以省去一般應(yīng)用中的光耦與TL431。
CX7509在恒流模式下，輸出功率可由CS腳外接的取樣電阻Rs設(shè)定。在恒壓模式下，芯片的多種工作模式可以保證較高的整體轉(zhuǎn)換效率。
CX7509此外，芯片內(nèi)置有線壓降補(bǔ)償，由此取得良好的負(fù)載調(diào)整率。CX7509在恒流模式下工作于PFM狀態(tài)，在恒壓模式下工作于PWM狀態(tài)，輕載時降頻工作。

難得糊涂 2018/9/11 11:42:19

一、概述
CX7509 是一顆電流模式PWM 控制芯片，內(nèi)置 650V 高壓功率 MOSFET，應(yīng)用于功率在 18W 以內(nèi)的方案。CX7509 在 PWM 模式下工作于固定開關(guān)頻率，這個頻率是由內(nèi)部精確設(shè)定。在空載或者輕載時，工作頻率由 IC 內(nèi)部調(diào)整。芯片可以工作在綠色模式，以此來減小輕載時的損耗，提高整機(jī)的工作效率。CX7509 在啟動和工作時只需要很小的電流，可以在啟動電路中使用一個很大的電阻，以此來進(jìn)一步減小待機(jī)時的功耗。芯片內(nèi)置有斜坡補(bǔ)償電路，當(dāng)電路工作于大占空比時，避免次諧波振蕩的發(fā)生，改善系統(tǒng)的穩(wěn)定性。內(nèi)置有前沿消隱時（Leading-edge blanking time），消除緩沖網(wǎng)絡(luò)中的二極管反向恢復(fù)電流對電路的影響。CX7509 采用了抖頻技術(shù)，能夠有效改善系統(tǒng)的 EMI 性能。系統(tǒng)
的跳頻頻率設(shè)置在音頻(22KHz)以上，在工作時可以避免系統(tǒng)產(chǎn)生噪音。CX7509 內(nèi)置多種保護(hù)，包括逐周期限流保護(hù)（OCP），過載保護(hù)（OLP），過壓保護(hù)（VDD OVP），VDD 過壓箝位，欠壓保護(hù)（UVLO），過溫保護(hù)（OTP）等，通過內(nèi)部的圖騰柱驅(qū)動結(jié)構(gòu)可以更好的改善系統(tǒng)的EMI 特性和開關(guān)的軟啟動控制。


二、特點(diǎn)
l 全電壓范圍（90Vac-265Vac）輸入時待機(jī)功耗小于 100mW
l 內(nèi)置 650V 高壓功率管
l 4ms 軟啟動用來減少M(fèi)OSFET 上 Vds 的應(yīng)力
l 抖頻功能，改善EMI 性能
l 跳頻模式，改善輕載效率，減小待機(jī)功耗
l 無噪聲工作
l 固定 65KHz 開關(guān)頻率
l 內(nèi)置同步斜坡補(bǔ)償
l 低啟動電流，低工作電流
l 內(nèi)置前沿消隱(LEB)功能
l 過載保護(hù)（OLP），逐周期限流保護(hù)（OCP）
l VDD 過壓保護(hù)（VDD OVP），欠壓保護(hù)（UVLO），VDD 電壓箝位
l 過溫保護(hù)（OTP）
l SOP8 無鉛封裝

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一、概述

CX7538 是一顆高性能的開關(guān)電源次級側(cè)同步整流控制電路。在低壓大電流開關(guān)電源應(yīng)用中，輕松滿
足 6 級能效，是理想的超低導(dǎo)通壓降整流器件的解決方案。芯片可支持高達(dá) 150kHz 的開關(guān)頻率應(yīng)用，并
且支持 CCM / QR / DCM 等開關(guān)電源工作模式應(yīng)用，其極低導(dǎo)通壓降產(chǎn)生的損耗遠(yuǎn)小于肖特基二極管的導(dǎo)
通損耗，極大提高了系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率，大幅降低了整流器件的溫度。
芯片內(nèi)置耐壓高達(dá) 85V 的 NMOSFET 同步整流開關(guān)，且具有極低的內(nèi)阻，典型 RdsON 低至 10mΩ，
可提供系統(tǒng)高達(dá) 3A 的應(yīng)用輸出；還內(nèi)置了高壓直接檢測技術(shù)，耐壓高達(dá) 200V；以及高達(dá) 30V 的供電電
壓，使得控制器可直接使用高至 24V 的輸出電壓整流應(yīng)用中，極大擴(kuò)展了使用范圍。
高集成度的電路設(shè)計使得芯片外圍電路極其簡單，在 QC 與 PD 5V/9V/12V 應(yīng)用中，只需搭配 1 顆電
容，即可構(gòu)建一個完整的同步整流應(yīng)用系統(tǒng)。
二、特點(diǎn):
l  支持開關(guān)電源 CCM/QR/DCM 模式
l  極佳的 5V/9V/12V 快充同步整流應(yīng)用
l  內(nèi)置 MOS 耐壓達(dá) 85V
l  內(nèi)置 MOS 的導(dǎo)通電阻最低至 10mΩ
l  較傳統(tǒng)肖特基提升效率 2~6%
l  極寬的工作電壓范圍 4.5V 至 36V
l  可 5V 直接供電或由輔助繞組供電
l  靜態(tài)工作電流可低至 600uA
l  支持開關(guān)電源頻率最高至 150KHz
l  至簡外圍應(yīng)用無需任何原件

l  SOP8 封裝形式

三、應(yīng)用范圍:

l  5V3A~12V2A、快充電源
l  18W-PD 快充電源
l  高能效開關(guān)電源
典型應(yīng)用:QC2.0、5V3A、9V2A、12V2A