當(dāng)奧氏體不銹鋼在制造和焊接時，加熱溫度和加熱速度處敏化溫度區(qū)域時，通常的奧氏體不銹鋼在450～850 ℃會改變材料晶格結(jié)構(gòu)區(qū)域部分的元素成分比例。材料中過飽和碳就會在晶粒邊界首先析出，并與鉻結(jié)合形成碳化鉻，此時碳在奧氏體內(nèi)的擴(kuò)散速度比鉻擴(kuò)散速度大，鉻來不及補(bǔ)充晶界由于形成碳化鉻而損失的鉻，結(jié)果晶界的鉻含量就隨碳化鉻的不斷析出而逐漸降低，形成所謂的貧鉻區(qū)，使電極電位下降。當(dāng)與含Cl-等腐蝕介質(zhì)接觸時，就會引起微電池腐蝕。雖然腐蝕僅在晶粒表面，但卻迅速深入內(nèi)部形成晶間腐蝕。

　　晶間腐蝕影響因素：當(dāng)溫度在敏化區(qū)域外，碳原子不可能造成晶界的貧鉻。只有當(dāng)溫度在敏化區(qū)內(nèi)加熱溫度呈梯度關(guān)系，則會造成貧鉻區(qū)域。此外，還與其含碳量有關(guān)，含碳量越多其擴(kuò)散量越多，碳化物形成量也越多，使得晶間腐蝕滲入晶界的深度加大，從而引起晶間腐蝕。

　　1.1.2 點蝕

　　奧氏體不銹鋼與含Cl-等腐蝕介質(zhì)接觸時，Cl-在材料鈍化膜的缺陷地方，如夾雜物、貧鉻區(qū)、晶界、焊縫熱影響區(qū)或位錯等處，侵入鈍化膜，與金屬離子結(jié)合形成強(qiáng)酸鹽而溶解鈍化膜，Cl-使膜產(chǎn)生缺位破壞，形成“鈍化—活化”微電池，產(chǎn)生點狀腐蝕，腐蝕電流使材質(zhì)產(chǎn)生穿孔。

　　點蝕影響因素：含鉻量增加，就不會產(chǎn)生點蝕。但含鉻量對晶間抗貧鉻無益。而增加鉬的量會大大提高耐點蝕能力，這與Cl-結(jié)成MoOCl2保護(hù)膜有關(guān)，從而防止Cl-穿透鈍化膜。