鍵合銅絲 18μm；22μm；25μm；28μm；32μm；35μm；38μm；42μm

優(yōu)克公司聯(lián)合相關(guān)大專院校自主研發(fā)成功鍵合銅絲，打破國外對該項技術(shù)的封鎖與壟斷，可廣泛應(yīng)用于集成電路、器件半導(dǎo)體高新技術(shù)行業(yè)；LED與半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)降低成本，提高競爭力必選

產(chǎn)品名稱：鍵合銅絲 ；銅鍵合絲；單晶銅絲；鍵合絲
直徑規(guī)格：18μm；22μm；25μm；28μm；32μm；35μm；38μm；42μm；45μm；50μm
長度規(guī)格：100m；200m;500m;1000m

鍵合銅絲是一種具備優(yōu)異電氣、導(dǎo)熱、機(jī)械性能以及化學(xué)穩(wěn)定性極好的內(nèi)引線材料，主要作為
半導(dǎo)體關(guān)鍵的封裝材料（鍵合銅絲、框架、塑封料、焊錫球、高密度封裝基板、導(dǎo)電膠等）。

單晶銅是一種全新技術(shù)生產(chǎn)的新材料，它主要的特點為：
　　1 單晶粒：相對目前的銅材（多晶粒），它只要1-3晶粒，內(nèi)部無晶界，決定其傳輸性能非常好
　　2 高純度：目前，我們的單晶銅可以做到99.999％（5N）或99.9999％（6N）的純度
　　3 低電阻：與目前其他銅材比，電阻低10％以上
　　4 高延伸：良好的延展性，可以壓箔和拉絲，可拉成相當(dāng)長度的0.1-0.018的不等的細(xì)絲和微細(xì)絲

單晶銅絲替代鍵合金絲的原因：
1、可節(jié)約鍵合成本,鍵合材料成本節(jié)約90%以上
2、可以在氮氣氣氛下封裝,生產(chǎn)更安全
3、可以減緩脆性金屬化合物的形成，提高鍵合強(qiáng)度
4、單晶銅絲在導(dǎo)電和信號導(dǎo)通效果方面比金絲更好
5、導(dǎo)電率、導(dǎo)熱率提高20%，因此在直徑相同的條件下銅絲可以承載更大電流
6、銅引線相對金引線的高剛度使得其更適合細(xì)小引線鍵合；
7、鍵合的機(jī)械強(qiáng)度可提高20%~30%
8、克服了金絲鍵合硬度高、易氧化、鍵合力大等缺點
9、互連強(qiáng)度比金絲還要好
10、單晶銅絲替代鍵合金絲無需更換生產(chǎn)設(shè)備

銅線與金線相比的優(yōu)點

1. 材料成本低，降低單位封裝成本，提高競爭優(yōu)勢
2. 導(dǎo)電性好
金焊線4.55 10 E7/ Ohm
銅焊線5.88 10 E7 / Ohm
在微間距封裝中可以采用更細(xì)的焊線 ，微間距應(yīng)用性能優(yōu)異（焊墊尺寸較�。�
提高功率調(diào)節(jié)器件（TO220、TO92、DPAK等等）的電流容量和性能
3. 導(dǎo)熱性好，傳熱效率更高
金31.1 kW/m2 K 銅39.5kW/m2 K
4. 機(jī)械性質(zhì)高，抗拉強(qiáng)度更大、延伸特性更好 ，模壓中具有優(yōu)異的球頸強(qiáng)度和較高的弧線穩(wěn)定性
5. 金屬間（IMC）生長速度慢，提高機(jī)械穩(wěn)定性、降低電阻增加量 ；IMC生長較為溫和，從而提高了鍵合強(qiáng)度
6. 與金線焊點相比，銅線焊點中的金屬間生長速度顯著減小。這就降低了電阻、減小了產(chǎn)熱，并最終提高了焊接可靠性和器件性能。由于銅線中的金屬間生長速度、電阻和產(chǎn)熱均低于金線，故而電阻隨時間的增加量和老化速度同時得到減小。

單晶銅抗拉強(qiáng)度(MPa) 128.31
單晶銅屈服強(qiáng)度(MPa) 83.23
單晶銅伸長率% 48.32
單晶銅維氏硬度(HV) 65
單晶銅斷面收縮率% 55.56
單晶銅電阻率（X10-8 Ω.m) 1.717
單晶銅導(dǎo)電率（IACS%) 100.4

多晶銅抗拉強(qiáng)度(MPa) 151.89
多晶銅屈服強(qiáng)度(MPa) 121.37
多晶銅伸長率% 26
多晶銅維氏硬度(HV) 79
多晶銅斷面收縮率% 41.22
多晶銅電阻率（X10-8 Ω.m) 1.767
多晶銅導(dǎo)電率（IACS%) 97.56