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產(chǎn)品展示

JKZC-ST4型半導(dǎo)體材料數(shù)字式四探針測試儀

點(diǎn)擊次數(shù):20發(fā)布時間:2018/6/6 9:58:24

JKZC-ST4型半導(dǎo)體材料數(shù)字式四探針測試儀

更新日期:2025/5/8 14:43:30

所 在 地:中國大陸

產(chǎn)品型號:

簡單介紹:JKZC-ST4型數(shù)字式四探針測試儀是運(yùn)用四探針測量原理測試電阻率/方阻的多用途綜合測量儀器。儀器具有測量精度高、靈敏度高、穩(wěn)定性好、智能化程度高、測量簡便、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便等特點(diǎn)。

相關(guān)標(biāo)簽:測試儀 四探針 電阻 

優(yōu)質(zhì)供應(yīng)

詳細(xì)內(nèi)容

JKZC-ST4型半導(dǎo)體材料數(shù)字式四探針測試儀

關(guān)鍵詞:電阻,電阻率,四探針,半導(dǎo)體

 

一、產(chǎn)品概述

    JKZC-ST4型數(shù)字式四探針測試儀是運(yùn)用四探針測量原理測試電阻率/方阻的多用途綜合測量儀器。該儀器設(shè)計(jì)符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。

儀器具有測量精度高、靈敏度高、穩(wěn)定性好、智能化程度高、測量簡便、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便等特點(diǎn)。

儀器適用于半導(dǎo)體材料廠器件廠、科研單位、高等院校對導(dǎo)體、半導(dǎo)體、類半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能的測試。

二、符合:

1、符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》、

2、符合GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》

3、符合美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)

二、產(chǎn)品應(yīng)用:

1、測試硅類半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻;

2、可測柔性材料導(dǎo)電薄膜電阻率/方阻

3、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜(ITO膜)電阻率/方阻

4、納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻

5、電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開關(guān)類接觸電阻進(jìn)行測量

6、可測試電池片等箔上涂層電阻率方阻

二、基本技術(shù)參數(shù)

1、  測量范圍

       阻:1×10-4~2×105 Ω   ,分辨率:1×10-5~1×102 Ω

   電阻率:1×10-4~2×105 Ω-cm,分辨率:1×10-5~1×102 Ω-cm

     阻:5×10-4~2×105 Ω/□,分辨率:5×10-5~1×102 Ω/□

   靜壓電系數(shù):0-2000PC/N(另配)

2、測量方式:自動或手動

3、基本精度:±0.1/%

4、四探針探頭:

   (1)碳化鎢探針:Φ0.5mm,直線探針間距1.0mm,探針壓力: 0~2kg 可調(diào)

   (2)薄膜方阻探針:Φ0.7mm,直線或方形探針間距2.0mm,探針壓力: 0~0.6kg 可

5. 電源:198V -242V(AC),47.5Hz -63Hz

6、操作環(huán)境:  0°C -40°C ,≤90%RH

7、外形尺寸:200mm(長)×220 mm(寬)×100mm(高)

8、數(shù)據(jù)傳輸方式;USB

9、軟件方式:人性化分析軟件界面,數(shù)據(jù)自動生成

10、可以配合壓電材料的靜壓電d33系數(shù):0-2000PC/N

 

 

     
                      分析軟件(一)





JKZC-ST4型半導(dǎo)體材料數(shù)字式四探針測試儀

關(guān)鍵詞:電阻,電阻率,四探針,半導(dǎo)體

 

一、產(chǎn)品概述

    JKZC-ST4型數(shù)字式四探針測試儀是運(yùn)用四探針測量原理測試電阻率/方阻的多用途綜合測量儀器。該儀器設(shè)計(jì)符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。

儀器具有測量精度高、靈敏度高、穩(wěn)定性好、智能化程度高、測量簡便、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便等特點(diǎn)。

儀器適用于半導(dǎo)體材料廠器件廠、科研單位、高等院校對導(dǎo)體、半導(dǎo)體、類半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能的測試。

二、符合:

1、符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》、

2、符合GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》

3、符合美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)

二、產(chǎn)品應(yīng)用:

1、測試硅類半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻;

2、可測柔性材料導(dǎo)電薄膜電阻率/方阻

3、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜(ITO膜)電阻率/方阻

4、納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻

5、電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開關(guān)類接觸電阻進(jìn)行測量

6、可測試電池片等箔上涂層電阻率方阻

二、基本技術(shù)參數(shù)

1、  測量范圍

       阻:1×10-4~2×105 Ω   ,分辨率:1×10-5~1×102 Ω

   電阻率:1×10-4~2×105 Ω-cm,分辨率:1×10-5~1×102 Ω-cm

     阻:5×10-4~2×105 Ω/□,分辨率:5×10-5~1×102 Ω/□

   靜壓電系數(shù):0-2000PC/N(另配)

2、測量方式:自動或手動

3、基本精度:±0.1/%

4、四探針探頭:

   (1)碳化鎢探針:Φ0.5mm,直線探針間距1.0mm,探針壓力: 0~2kg 可調(diào)

   (2)薄膜方阻探針:Φ0.7mm,直線或方形探針間距2.0mm,探針壓力: 0~0.6kg 可

5. 電源:198V -242V(AC),47.5Hz -63Hz

6、操作環(huán)境:  0°C -40°C ,≤90%RH

7、外形尺寸:200mm(長)×220 mm(寬)×100mm(高)

8、數(shù)據(jù)傳輸方式;USB

9、軟件方式:人性化分析軟件界面,數(shù)據(jù)自動生成

10、可以配合壓電材料的靜壓電d33系數(shù):0-2000PC/N

 


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