按照國(guó)標(biāo)GB4910-85測(cè)試，本公司生產(chǎn)銷售的鍍鎳銅線，主要用于電子元件引線、整機(jī)電路板連接線及電纜芯線。

一. 主要材質(zhì)及特點(diǎn)：

本品材質(zhì)含銅，鎳兩種金屬成分，但主要材質(zhì)為銅線。

1、  體積電阻率低，導(dǎo)電良好，具有發(fā)熱很低的可靠性優(yōu)點(diǎn)；

2、  線質(zhì)較軟，AI插件容易，切線不傷切刀，降低設(shè)備備件成本；

3、  色澤光亮，不變色，耐腐蝕，在高溫高濕的環(huán)境下儲(chǔ)存，使用能保證其使用的可靠性。

4、  產(chǎn)品滿足無鉛使用的要求。

佛山市順德區(qū)昊瑞電子科技有限公司主要經(jīng)營(yíng)：無鉛輔助材料：鍍錫銅線，銅包鋼線，錫膏，紅膠，熱溶膠，硅膠，導(dǎo)熱硅脂，助焊劑，清洗劑，防潮油，焊錫條，焊錫絲等

QQ:   1469901466
聯(lián)系電話： 18025968966 

鍍錫銅線具有優(yōu)良熱穩(wěn)定和機(jī)械耐磨及電絕緣性能，可抗強(qiáng)酸、耐腐蝕、耐火不燃，氧指數(shù)高、低煙無鹵、不老化。
產(chǎn)品型號(hào)：Φ0.5/0.60/0.80/1.0鍍錫銅線

產(chǎn)品規(guī)格：桶裝:17-28kg/桶裝，小軸：4-6kg/小軸

鍍錫銅：

鍍錫銅，是指表面鍍有一薄層金屬錫的銅，如鍍錫銅線，在線纜加工制造過程中有一定的應(yīng)用。

鍍錫能防止銅暴露在空氣中而被氧化形成一層膜——銅綠。而銅綠的導(dǎo)電性很差會(huì)增加電阻。盛裝食物的器皿產(chǎn)生銅綠后可能對(duì)人體有害。因而鍍錫主要就是為了防止銅被氧化。

簡(jiǎn)介

銅由于其優(yōu)異的性能以及低廉的價(jià)格，被廣泛應(yīng)用于電子信息、潤(rùn)滑、催化和冶金等領(lǐng)域。但銅在空氣中極易氧化，并且粒度越細(xì)，氧化越嚴(yán)重。為了提高銅的抗氧化性能，可在銅表面包覆惰性金屬。包覆惰性金屬層不僅能較顯著地提高銅的抗氧化性能，而且能較好地保持其導(dǎo)電性。錫雖然不屬于惰性金屬，性質(zhì)也比銅活潑，但常溫下錫在空氣中很穩(wěn)定，因錫的表面會(huì)生成一層致密的氧化物膜，阻止錫的繼續(xù)氧化。因此，銅表面鍍錫可在一定程度上提高銅的抗氧化性。鍍錫銅的穩(wěn)定性、導(dǎo)電性、耐磨性、抗腐蝕性和電磁屏蔽性都較好，具有很好的應(yīng)用前景。

相關(guān)研究

鍍錫銅粉的制備

有關(guān)鍍錫銅粉的報(bào)道較少，其制備方法主要是化學(xué)置換法。由于置換反應(yīng)生成的銅離子會(huì)從銅粉表面擴(kuò)散到溶液中，該擴(kuò)散需要有孔道，因此制備的鍍錫銅粉中鍍錫層松散，必然存在孔洞，致密性較差。為了提高鍍層致密性，探索新的鍍錫方法很有必要。一般認(rèn)為，還原法能夠克服上述置換法制備鍍錫銅粉的缺點(diǎn)，但由于錫的析氫過電位高，自催化活性低，用一般還原劑還原有難度。

有學(xué)者采用硼氫化鈉還原氫氧化錫，在銅粉表面進(jìn)行化學(xué)鍍錫，得到鍍錫銅粉。用兩面粗糙度不同的銅箔替代銅粉進(jìn)行模擬試驗(yàn)，以研究錫層在銅粉表面的包覆情況和微觀結(jié)構(gòu)以及高溫處理和制備方法對(duì)鍍錫層顯微結(jié)構(gòu)的影響。結(jié)果表明，銅粉表面完整地包覆了一層均勻致密的鍍錫層；采用還原法制備的鍍錫層比采用置換法制備的鍍錫層更為均勻致密，高溫處理可進(jìn)一步提高鍍錫層的均勻性和致密性。

鍍錫銅箔表面小丘和晶須的生長(zhǎng)行為

在電子產(chǎn)品的封裝互連中，鍍錫銅元件引腳隨時(shí)間延長(zhǎng)，有錫晶須形成，從而引發(fā)電子器件短路，甚至造成電子系統(tǒng)失效。

有學(xué)者 針對(duì)鍍錫銅箔表面的小丘和晶須的生長(zhǎng)行為進(jìn)行研究。首先，用化學(xué)鍍?cè)阢~箔表面鍍錫。將鍍錫銅箔樣品在100℃和200℃空氣中時(shí)效8d，為了便于分析實(shí)驗(yàn)結(jié)果，將另一組鍍錫銅箔樣品在室溫時(shí)效30d。用掃描電子顯微鏡觀察樣品表面形貌，用X射線衍射儀對(duì)試樣進(jìn)行晶體結(jié)構(gòu)分析。

結(jié)果表明：樣品在100℃時(shí)效有小丘和晶須形成，而在200℃時(shí)效8d和在室溫時(shí)效30d沒有晶須形成。晶須生長(zhǎng)是由鍍層內(nèi)部存在的壓應(yīng)力梯度引起的，并有一個(gè)孕育期。隨時(shí)效溫度的變化，原子擴(kuò)散速度和鍍層的應(yīng)力松弛不同控制了小丘和晶須的形成。