產(chǎn)品展示
優(yōu)質(zhì)供應(yīng)
詳細(xì)內(nèi)容
低價(jià)格，用于研究開(kāi)發(fā)
RTP-6型的待測(cè)試樣6英寸基板，并且價(jià)格低，用于研究開(kāi)發(fā)領(lǐng)域的裝置。RTP-6裝置對(duì)于硅半導(dǎo)體，化合物半導(dǎo)體等，在試驗(yàn)過(guò)程中，具有氣氛可變，高速加熱，高速冷卻的功能。本裝置是*適合在研發(fā)過(guò)程中，手動(dòng)操作。
●特長(zhǎng)
1. | 急速加熱 |
2. | 金屬加熱是由冷卻水進(jìn)行冷卻，可進(jìn)行急速冷卻控制。 |
3. | 加熱爐有9個(gè)獨(dú)立的溫度控制區(qū)，具有良好的溫度分布和再現(xiàn)性 |
4. | 氣氛可控 真空排氣系統(tǒng)；選擇部件 |
5. | 氣體可置換 真空排氣系統(tǒng)；選擇部件 |
6. | PC計(jì)算機(jī)進(jìn)行數(shù)據(jù)管理。 |
7. | 裝有石英防融板加化加熱室的安全性。 |
●技術(shù)指標(biāo)
均熱精度 | RT～1000℃（高溫計(jì)可測(cè)范圍 400～1200℃） |
被 加 熱 物 | 標(biāo)準(zhǔn)6英寸集成電路板 1塊（4.5英寸集成電路板也可選擇） |
氣 氛 | 標(biāo)準(zhǔn) 氣體、氣體流動(dòng)中、大気中（真空也可選擇） |
加 熱 方 式 | 用放物面反射紅外線爐來(lái)加熱上部的面 |
加熱速度 | 使用附帶Sic碳素導(dǎo)線 10℃／sec |
均熱精度 | 使用附帶Sic碳素導(dǎo)線 △t=10℃ 保持800℃ N2氣體 |
溫度傳感器 | JIS K型熱電偶（插入附帶Sic碳素導(dǎo)線方式） |
控制方式 | 閉環(huán)控制 |
熱排氣 | 旋轉(zhuǎn)式鼓風(fēng)機(jī)排氣方式 |
電源 | AC200V 25.4KVA 3φ |
安全項(xiàng)目 | 冷卻水量，熱電偶斷線，漏電，異常停機(jī)，加熱室內(nèi)過(guò)壓 |
