紅外線燈管加熱裝置 RTA系列

（用于半導體材料及電子材料）

半導體器件的集成化，高密度化，熱處理由過去的一個元件工藝處理，到至今的多元件連續(xù)工藝處理，以是現(xiàn)在我們所研究的課題。我社常年所培育的紅外線金面反射爐的快速加熱技術，從研究開發(fā)到生產(chǎn)制作為一體的科研和生產(chǎn)體制充分體現(xiàn)于多式樣連續(xù)化熱處理的紅外線燈管加熱裝置RTA系列的商品化。式樣尺寸為450mm～4200mm。從硅片到化合物，在細微的技術方面我們都會滿足用戶的需求。

●用途

注入離子后的活性化退火。
氧化薄膜生成退火。
歐姆電極的燒結。
PZT, SBT等強誘導體薄膜的結晶化退火。
發(fā)光素子，半導體激光基板的退火。

●特長

加熱氣氛為真空，氣體，流動氣體，大氣。
爐壁是由金面構成，可同時進行高速加熱和高速冷卻。
由紅外線燈管組成9個獨立加熱區(qū)，分析可以調節(jié)加熱功率，具有良好
的溫度分布。
適用于450mm～4200mm尺寸的半導體基板。
配有防止氧化所產(chǎn)生試樣卷曲的功能。選擇

●技術指標