二十年來，電子工業(yè)以驚人的速度發(fā)展。新技術(shù)的進(jìn)步在減小設(shè)備尺寸的同時，也加大了分立元件制造商開發(fā)理想性能器件的壓力。

在這些器件中，晶片電阻當(dāng)前始終保持很高的需求，并且是許多電路的基礎(chǔ)構(gòu)件。它們的空間利用率優(yōu)于分立式封裝電阻，減少了組裝前期準(zhǔn)備的工作量。隨著應(yīng)用的普及，晶片電阻具有越來越重要的作用。主要參數(shù)包括 ESD 保護(hù)、熱電動勢 （EMF）、電阻熱系數(shù) （TCR）、自熱性、長期穩(wěn)定性、功率系數(shù)和噪聲等。

以下技術(shù)對比中將討論線繞電阻在精密電路中的應(yīng)用。不過請注意，線繞電阻沒有晶片型，因此，受重量和尺寸限制需要采用精密晶片電阻的應(yīng)用不使用這種電阻。

盡管升級每個組件或子系統(tǒng)可以提高整體性能，但整體性能仍是由組件鏈中的短板決定的。系統(tǒng)中的每個組件都具有關(guān)系到整體性能的內(nèi)在優(yōu)缺點(diǎn)，特別是短期和長期穩(wěn)定性、頻響和噪聲等問題。分立式電阻行業(yè)在線繞電阻、厚膜電阻、薄膜電阻和金屬箔電阻技術(shù)方面取得了進(jìn)步，而從單位性能成本考慮，每種電阻都有許多需要加以權(quán)衡的因素。


應(yīng)力（無論機(jī)械應(yīng)力還是熱應(yīng)力）會造成電阻電氣參數(shù)改變。當(dāng)形狀、長度、幾何結(jié)構(gòu)、配置或模塊化結(jié)構(gòu)受機(jī)械或其他方面因素影響發(fā)生變化時，電氣參數(shù)也會發(fā)生變化，這種變化可用基本方程式來表示：R = ρ L/A，式中

R = 電阻值，以歐姆為單位，

ρ = 材料電阻率，以歐姆米為單位，

L = 電阻元件長度，以米為單位，

A = 電阻元件截面積，以平方米為單位。

電流通過電阻元件時產(chǎn)生熱量，熱反應(yīng)會使器件的每種材料發(fā)生膨脹或收縮機(jī)械變化。環(huán)境溫度條件也會產(chǎn)生同樣的結(jié)果。因此，理想的電阻元件應(yīng)能夠根據(jù)這些自然現(xiàn)象進(jìn)行自我平衡，在電阻加工過程中保持物理一致性，使用過程中不必進(jìn)行熱效應(yīng)或應(yīng)力效應(yīng)補(bǔ)償，從而提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。