技術參數(shù)：

  10 µm 的 X 射線高強度、高速度的掃描分析。

    樣品可以置于大氣中分析，的真空探針方式。

  同軸觀察，可以從攝像系統(tǒng)中選取所需的測量點，單鍵控制，放大倍數(shù)可至 100 倍。

  可以對物質表面和內部構造同時進行分析。

  主要應用：WEEE/RoHS 法令中涉及的產品有害元素的測定、珠寶首飾的成份檢測、電子電路板的微區(qū)分析、考古或博物館中對古物的分析

  同時也滿足科研院校在常規(guī)元素檢測方面的要求

    可進行樣品內部從Na~ U的元素進行定性、定量分析
2、X射線透射成像，可觀察樣品內部細微構造
3、多點自動分析，一次可測99點
4、能做小至10μm的微區(qū)
5、兩種X射線聚焦導管快速切換，可選1.2mm和10μm或100μm
6、X射線與可見光同軸設計，真正做到精確定位測試部位，見即所得。
7、高純硅檢測器，保證高穩(wěn)定性及優(yōu)異的性能