KD□C系列干式陶瓷電容芯片變送器采用氧化鋁陶瓷傳感器做為“干式測(cè)量單元”，過程壓力直接作用于堅(jiān)固的耐腐蝕陶瓷膜片上，使膜片產(chǎn)生偏移，電容量變化輸出正比于壓力的電信號(hào)值。

KD□S系列擴(kuò)散硅變送器利用單晶硅的壓阻效應(yīng)，采用IC工藝技術(shù)擴(kuò)散四個(gè)等值應(yīng)變電阻，組成惠斯登電橋，電橋加恒壓并受力失去平衡時(shí)，輸出正比于壓力的電信號(hào)值。

　　KD系列壓力變送器可測(cè)量對(duì)象的壓力、差壓、負(fù)壓和液位高度等，并可配備液晶顯示器，便于現(xiàn)場(chǎng)觀察。

陶瓷電容芯片變送器：

※ 可測(cè)量正負(fù)表壓和絕對(duì)壓力

※ 陶瓷測(cè)量界面，耐腐蝕性好

※ 不受安裝方向影響，無工業(yè)污染

※ 線性好，可達(dá)0.1、0.2、0.5級(jí)

※ 傳感器無中介液，溫漂僅為正負(fù)0.015%FS/K

※ 穩(wěn)定性高、優(yōu)于0.1%FS/年

※ 抗過載能力強(qiáng)，過壓可達(dá)量程的幾倍至數(shù)幾十倍

※ 輸出信號(hào)強(qiáng)，抗干擾性能好

擴(kuò)散硅芯片變送器：

※ 完善的內(nèi)部溫度補(bǔ)償,補(bǔ)償范圍達(dá)-10~70℃

※ 工作溫度區(qū)寬（-40~85℃、-20~250℃）

※ 量程范圍大，*小0~20Pa，0~40MPa

※ 零點(diǎn)�。ǎ肌�1mV，長(zhǎng)期穩(wěn)定性好0.2%FS/年）

※ 精度高，可達(dá)0.1%FS工作頻率高、壽命長(zhǎng)

※ 帶防腐膜片的傳感器，可測(cè)量腐蝕性介質(zhì)

※ 體積小、重量輕、高阻抗、低功耗、抗干擾性能強(qiáng)

※ 可測(cè)量正負(fù)表壓、絕壓和差壓