外延晶片在線光折射檢測儀

特 點 : 對 2”-200 mm 的晶片可以進行在線的光折射掃描，也可升級至 300mm 檢測直徑； 掃描范圍從 0.75 eV 到 2.2 eV, 3.6 eV 可選； 在室溫，禁帶寬度和偏移 (Band gap/band offset) 測量可精確到 2 meV ； 可進行表面 / 界面電場測量； 入射角可從 15° 到 75°, 特別適合于 VCSEL/RCLED 晶片； 的模型軟件： TDFF, FDFF, FKO 擬合；

外延晶片在線光折射檢測儀

優(yōu) 點 : 快速非接觸式外延晶片表征； 直接測量晶片的帶寬，偏移和表面 / 界面電場； 應(yīng)用于統(tǒng)計的過程控制，提高加工穩(wěn)定性； 大幅節(jié)省由于晶片破壞性實驗和設(shè)備制造的費用； 提高晶片生產(chǎn)率；較少的校正可以提高利潤； 控制晶片的質(zhì)量，以避免進入下一步工序造成的損失； VCSEL 和 RCLED 晶片上的非破壞性實驗； 應(yīng) 用 : 室溫下高精度禁帶寬度測量； 外延晶片材料中關(guān)鍵部位的電場測量； 為 HBT 晶片質(zhì)量和靜態(tài)過程控制提供技術(shù)； 無損檢測 VCSEL 和 RCLE 晶片產(chǎn)品質(zhì)量； 可以適用多種晶片生產(chǎn)設(shè)備 (GaAs, InP, SiGe; GaN 可選 ) 適用于 HBT, pHEMT, LED, QWIP, 邊發(fā)射激光器材料；