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產(chǎn)品展示

微觀四點(diǎn)探針

點(diǎn)擊次數(shù):454發(fā)布時(shí)間:2009/11/2 0:00:00

微觀四點(diǎn)探針

更新日期:1900/1/1 0:00:00

所 在 地:丹麥

產(chǎn)品型號(hào):CIPTech

簡(jiǎn)單介紹:MRAM,寫(xiě)磁頭的MTJ 磁阻和隧阻&材料表面 Nano微區(qū)范圍的阻抗分析

優(yōu)質(zhì)供應(yīng)

詳細(xì)內(nèi)容

 SCM
  ◆ 材料表面 Nano微區(qū)范圍的『阻抗』分析
* SPM-CIPTech
  ◆ IBM & Infineon技術(shù)『Current In-Plane Tunneling』
  ◆ MRAM、讀寫(xiě)磁頭的 MTJ 『磁阻』和『隧阻』
* micro RSP
◆ 超淺結(jié)『Ultra Shallow Junction』 『阻抗』分析
* M4PP SEM Module
  ◆ SEM 在線(xiàn)微區(qū) Sheet Resistance 點(diǎn)測(cè)模塊
  ◆ 配合 FIB 進(jìn)行在線(xiàn) Sheet Resistance 分析

* MFPP & M4PP:四點(diǎn)或多點(diǎn)奈米探針

微觀四點(diǎn)探針 M4PP ,比傳統(tǒng)的四點(diǎn)探針的間距小三個(gè)數(shù)量級(jí),利用硅微加工技術(shù)加工而成。 CAPRES 可以提供間距為 5, 10, 15, 20, 25 和 30 微米的探針。

這種探針技術(shù)適用于材料微觀電性能的表征,是半導(dǎo)體和薄膜工業(yè)質(zhì)量控制的理想工具。它們也可被用于研究,例如對(duì)多晶材料中單晶;騿萎牭碾妼(dǎo)率進(jìn)行成像;蛘咴摷夹g(shù)可用于在超高真空 UHV 下,清潔硅片由于表面重構(gòu)造成的微觀電子輸送的改變。這項(xiàng)技術(shù)是 MIC 和日本東京大學(xué)物理系合作的部份結(jié)果。

CAPRES 現(xiàn)正致力于為客戶(hù)的特殊要求定制探針,可以制作間距小至 1.5 微米的探針。

 

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