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產(chǎn)品展示

SiC器件測試儀/設備

點擊次數(shù):0發(fā)布時間:2024/4/23 11:40:58

SiC器件測試儀/設備

更新日期:2024/4/23 11:40:58

所 在 地:中國大陸

產(chǎn)品型號:HUSTEC-1600A-MT

簡單介紹:華科智源功率器件測試儀,測試二管 、IGBT,MOS管,SIC器件靜態(tài)參數(shù),并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉移曲線,測試1600A,5000V以下的各種功率器件,廣泛應用于器件設計,封裝測試,軌道交通,電動汽車 ,風力發(fā)電,變頻器,焊機等行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析。

優(yōu)質供應

詳細內(nèi)容

 

華科智源HUSTEC-1600A-MT 靜態(tài)參數(shù)測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試,還可以測量大功率二管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙型晶體管,MOS管等器件的 V-I 特性測試,測試1200A(可擴展至2000A),5000V以下的各種功率器件,廣泛應用于軌道交通,電動汽車 ,風力發(fā)電,變頻器,焊機行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析,設備還可以用于變頻器,風電,軌道交通,電焊機等行業(yè)的在線檢修,無需從電路板上取下來進行單獨測試,可實現(xiàn)在線IGBT檢測,測試方便,測試過程簡單,既可以在測試主機里設置參數(shù)直接測試,又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試,通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測試;

測試參數(shù):

ICES  集電-發(fā)射漏電流

IGESF 正向柵漏電流

IGESR 反向柵漏電流

BVCES 集電-發(fā)射擊穿電壓

VGETH 柵-發(fā)射閾值電壓

VCESAT 集電-發(fā)射飽和電壓

ICON 通態(tài)電電流

VGEON 通態(tài)柵電壓

VF 二管正向導通壓降

整個測試過程自動完成,電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能,可生成測試曲線,方便操作使用

 

1) 物理規(guī)格 

設備尺寸:500(寬)x 450(深)x 250(高)mm; 

質量:30kg

2) 環(huán)境要求 

海拔高度:海拔不超過 1000m;

儲存環(huán)境:-20℃~50℃; 

工作環(huán)境:15℃~40℃。

相對濕度:20%RH ~ 85%RH 

大氣壓力:86Kpa~ 106Kpa。 

防護:無較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導電粉塵等空氣污染的損害;

3) 水電氣 用電要求:AC220V,±10%; 

電網(wǎng)頻率:50Hz±1Hz

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聯(lián)系人:陳經(jīng)理

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