DL-甘油醛,56-82-6高純試劑又分成幾大類:

? 普通離純試劑

是指一些高純單質金屬、氧化物、金屬鹽類等,常用于原子能工業(yè)材料、電子工業(yè)材料、半導體基礎材料等,金屬單質的氧化物、用來配制標準溶液和作為標準物質,該類試劑常要求含量在 4N-6N 之間。

? 超凈電子純試劑

超凈高純試劑是集成電路( IC )制造工藝中的用化學品,用于硅片清洗、光刻、腐蝕工序中。對這種高純試劑中可溶性雜質和固態(tài)微粒要求非常嚴格,為適應 IC 集成度不斷提高的需求,上半導體工業(yè)協(xié)會( Semiconductor Industry Association )近來推出 Semic7( 適合 0.8-1.2 微米工藝技術 ) 和 Semic8( 適合于 0.2-0.6 微米工藝技術 )DL-甘油醛,56-82-6 別的試劑質量標準。我國在原有 MOS 、 BV-I 試劑的基礎上,又制定出 BV-II 和 BV-III 試劑標準(相當于 Semic7 )。我研究所也研制多種 MOS 、 BV-I  BV-II 和部分 BV-III 試劑,其顆粒度( 0.5 微粒顆粒)≤ 25-100 個∕ ml ,金屬雜質總量≤ 10 -3 — 10 - 5 ﹪

? 光刻膠高純試劑

光刻工藝是一種表面加工技術,在半導體電子器件和集成電路制造中占有重要地位。為在表面實現(xiàn)選擇性腐蝕,采用一類具有抗蝕作用的感光樹脂材料作為抗蝕涂層,稱為抗蝕劑,國內通稱光刻膠。按照溶解度的不同而將光刻膠分為“正性”光刻膠和“負性”光刻膠,按所用曝光光源和輻射光源的不同,DL-甘油醛,56-82-6又可將其分為紫外、遠紫外、電子束、 X 射線等光刻膠。

光刻膠是微細圖形加工的一種關鍵試劑,要求水分低、金屬雜質含量低(≤ 10 -6 )

? 磨拋光高純試劑

是指用于硅單晶片表面的研磨和拋光的高純度試劑。它又分磨粉(三氧化二鋁)和磨液(水和油劑),能研磨表面達到微米加工精度。這類試劑要求顆粒粒度小(納米),純度高,金屬雜質一般要求 2.0 × 10 -4 — 5 × 10 -5 ﹪

? 液晶高純試劑

液晶是一類電子化學材料,是指在一定溫度范圍內呈現(xiàn)介于固相和液相之間的中間相的有機物。它既有液態(tài)的流動性也有晶態(tài)的各向異性,有時人稱他為第四態(tài)。

液晶種類繁多,DL-甘油醛,56-82-6用途廣,景*的要屬 TN( 低檔 ) 、 STN (中高檔)、 TFT (高檔)型。 TN 、 STN 及 TFT 三種型號所組成的單體液晶,主要包括芳香酯類、聯(lián)苯類、苯基環(huán)已烷類、鐵電類以及含氟液晶品等五種,它們是當及后使用及發(fā)展的主要對象。這類高純試劑要求含量高(≥ 99 ﹪),水分含量低(≤ 10 -6 ),金屬雜質含量少(≤ 10 -6 )。

使用須知:

(1)請參照相關法規(guī)、文獻、MSDs等信息,理解并掌握好試劑的特性,再進行安全操作。

(2)通常購買試劑時一定要想到－－次性用完。若估算不足有剩余的話，更加注意其他保管和管理。

(3)萬一-試劑操作者并非業(yè)技術人員。必須在業(yè)人士的指導監(jiān)督下進行操作。對于使用后的廢棄物,不要或者舊的試劑，應按照相關法律法規(guī)正當處理。

(4)購買后，請務必確認標簽上的注意事項;做好預防顛倒,摔壞的措施和管理體制;在使用再次確認標簽上的注意事項，做好必要的安全對策;對沒有標明其危害特性、有害特性的，也要慎重地進行操作;必須帶好防護用具，小心翼翼進行操作。

生化試劑的種類與等說明:

(1)免疫試劑包括抗體及抗血清、正常血清及補體、抗原、免疫組織化學研究用試劑、細胞培養(yǎng)用試劑、細胞分離試劑、凝膠內擴散法及電泳試劑等。

(2)基因工程用試劑包括基因表達與基因重組、人工合成蛋白、激素、核酸合成試劑、內切酶等。

(3)誘變劑和主要供測定工作場所與生活環(huán)境中的毒物質的致癌性與化學毒物的致突變性。

(4)工業(yè)用化學品包括試制開發(fā)的工業(yè)用化學品,有四千種以上,還在不斷增加。