英文名稱:Indole-3-carboxaldehyde;3-Indolealdehyde;1H-Indole-3-carboxaldehyde

其他名稱:吲哚-3-甲醛;3-醛基吲哚;1H-吲哚-3-甲醛;3-甲醛吲哚

CAS號:487-89-8

C9H7NO=145.16

別:BR

含量:≥98.0%

熔點:193~199℃

性狀(以下信息僅供參考):類白色至淺灰棕色結晶粉末或淺黃色至橙色結晶。系吲哚-3-乙酸代謝物。微溶于水。

用途:本品僅供科研,不得用于其它用途
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3-吲哚甲醛,487-89-8高純試劑又分成幾大類:

? 普通離純試劑

是指一些高純單質金屬、氧化物、金屬鹽類等,常用于原子能工業(yè)材料、電子工業(yè)材料、半導體基礎材料等,金屬單質的氧化物、用來配制標準溶液和作為標準物質,該類試劑常要求含量在 4N-6N 之間。

? 超凈電子純試劑

超凈高純試劑是集成電路( IC )制造工藝中的用化學品,用于硅片清洗、光刻、腐蝕工序中。對這種高純試劑中可溶性雜質和固態(tài)微粒要求非常嚴格,為適應 IC 集成度不斷提高的需求,上半導體工業(yè)協(xié)會( Semiconductor Industry Association )近來推出 Semic7( 適合 0.8-1.2 微米工藝技術 ) 和 Semic8( 適合于 0.2-0.6 微米工藝技術 )3-吲哚甲醛,487-89-8 別的試劑質量標準。我國在原有 MOS 、 BV-I 試劑的基礎上,又制定出 BV-II 和 BV-III 試劑標準(相當于 Semic7 )。我研究所也研制多種 MOS 、 BV-I  BV-II 和部分 BV-III 試劑,其顆粒度( 0.5 微粒顆粒)≤ 25-100 個∕ ml ,金屬雜質總量≤ 10 -3 — 10 - 5 ﹪

? 光刻膠高純試劑

光刻工藝是一種表面加工技術,在半導體電子器件和集成電路制造中占有重要地位。為在表面實現選擇性腐蝕,采用一類具有抗蝕作用的感光樹脂材料作為抗蝕涂層,稱為抗蝕劑,國內通稱光刻膠。按照溶解度的不同而將光刻膠分為“正性”光刻膠和“負性”光刻膠,按所用曝光光源和輻射光源的不同,3-吲哚甲醛,487-89-8又可將其分為紫外、遠紫外、電子束、 X 射線等光刻膠。

光刻膠是微細圖形加工的一種關鍵試劑,要求水分低、金屬雜質含量低(≤ 10 -6 )

? 磨拋光高純試劑

是指用于硅單晶片表面的研磨和拋光的高純度試劑。它又分磨粉(三氧化二鋁)和磨液(水和油劑),能研磨表面達到微米加工精度。這類試劑要求顆粒粒度小(納米),純度高,金屬雜質一般要求 2.0 × 10 -4 — 5 × 10 -5 ﹪

? 液晶高純試劑

液晶是一類電子化學材料,是指在一定溫度范圍內呈現介于固相和液相之間的中間相的有機物。它既有液態(tài)的流動性也有晶態(tài)的各向異性,有時人稱他為第四態(tài)。

液晶種類繁多,3-吲哚甲醛,487-89-8用途廣,景*的要屬 TN( 低檔 ) 、 STN (中高檔)、 TFT (高檔)型。 TN 、 STN 及 TFT 三種型號所組成的單體液晶,主要包括芳香酯類、聯(lián)苯類、苯基環(huán)已烷類、鐵電類以及含氟液晶品等五種,它們是當及后使用及發(fā)展的主要對象。這類高純試劑要求含量高(≥ 99 ﹪),水分含量低(≤ 10 -6 ),金屬雜質含量少(≤ 10 -6 )。