我公司提供的RTP晶體Q開關，采用雙晶體結(jié)構(gòu)，兩塊晶體光軸彼此垂直，可以自動補償環(huán)境溫度變化，是一種無需溫控的激光器件。除此之外，RTP晶體器件還具有下列明顯優(yōu)勢：

1. 適用波長：450nm - 3μm，器件消光比 ＞ 23 dB

2. 雙晶體總的電容量很小， 5mm長晶體的總電容量為2-3pF或10mm長晶體的總電容量為3-4pF，可實現(xiàn)脈沖上升/下降時間：0.5-5ns

3. 與其它電光Q相比，具有較低的半波電壓，更容易控制

4. 晶體內(nèi)部質(zhì)量好，光學吸收低，雙晶體的總體透光率>98.5%

5. 動態(tài)、靜態(tài)半波電壓基本一致，易于安裝和調(diào)節(jié)

6. 適用于高頻操作，開關頻率可達1MHz

7. 小巧的外形和較低的操作電壓，使其更適于新型的光纖與碟片激光器應用

8. 15x15mm²口徑器件可用于大型軍工和航天用途激光器

9. 使用溫度﹣50-70℃，無需溫控

10. 晶體損傷閾值達1GW/cm² @ 1064nm, 10ns脈寬

11. 晶體不潮解，介電常數(shù)低，優(yōu)良的電學穩(wěn)定性，可長期承受外加電壓

12. 在高頻工作時，極低的振鈴效應，遠遠低于BBO電光Q的振鈴效應

RTP晶體電光Q型號定義規(guī)則

• 型號：Ty ‐ D ‐ O ‐ Cr ‐ L ‐ E ‐ W

• Ty ‐ 晶體類別: R (RTP)

• D ‐ 電光器件: Q (電光Q)，M (雙晶體結(jié)構(gòu))，或S (單晶體結(jié)構(gòu))

• O ‐ 晶體切割方向: X / Y / Z

• Cr ‐ 晶體截面 [mm]

• L ‐ 晶體長度 [mm]

• E ‐ 消光比20/23/25/30 [dB]

• W ‐ 工作激光波長 [nm]