功能特性簡(jiǎn)述

l 高效率>90%

l 同步N型MOSFET整流

l VCC寬輸入范圍：2.5V至24V

l 1.5%的輸出電壓精度

l 高位電流采樣

l 空載時(shí)低靜態(tài)電流：60uA

l 內(nèi)置軟啟動(dòng)

l 開關(guān)頻率600/900KHz

l 關(guān)斷電流<8uA

l PWM峰值電流�？刂�

l 輕載自動(dòng)切換Burst模式

l 邏輯控制使能端

l Cycle-By-Cycle峰值電流限制

l 工作環(huán)境溫度范圍：-40℃～125℃

l DFN12L\TSSOP14L封裝

應(yīng)用

l 移動(dòng)電話

l 工業(yè)供電

l 通訊硬件

概述

HB6803是一款恒定頻率PWM電流模控制，驅(qū)動(dòng)N型功率管的高效同步升壓芯片。同步整流提高效率，減小功耗，并且減輕散熱要求，所以HB6803可以應(yīng)用在大功率環(huán)境。

2.5V到24V的輸入電壓支持供電系統(tǒng)和電池的較寬范圍應(yīng)用。根據(jù)負(fù)載情況的變化自動(dòng)切換工作模式，在輕載Burst模式下靜態(tài)電流低至60uA。

HB6803內(nèi)置峰值電流限制和輸出過(guò)壓保護(hù)。在ENB邏輯控制為高時(shí)，芯片電流降至8uA以下。

 功能描述

主控制回路

HB6803采用恒定頻率，電流模升壓控制結(jié)構(gòu)。在正常模式，底部主功率MOSFET在時(shí)鐘置位時(shí)打開，在ICMP峰值電流控制比較器復(fù)位時(shí)關(guān)斷。峰值電流比較器的由電感電流和誤差放大器EA的輸出觸發(fā)和產(chǎn)生復(fù)位信號(hào)。誤差放大器比較輸出的反饋電壓FB和內(nèi)部的1.2V基準(zhǔn)。

在底部主功率MOSFET關(guān)斷時(shí)，頂部整流MOSFET開啟；在電感電流臨界，即將開始反向時(shí)，頂部整流MOSFET斷開。

LDO輸出

    對(duì)頂部和底部MOSFET驅(qū)動(dòng)和大部分內(nèi)部電路供電。電流限制在50mA。

關(guān)閉和啟動(dòng)

HB6803在ENB為高時(shí)關(guān)閉。此時(shí)芯片的功耗降到8uA以下。ENB為邏輯低電平時(shí)，芯片啟動(dòng)。

峰值電流限制

HB6803在正常模式工作時(shí)，外部檢測(cè)電阻上的壓降超過(guò)120mV時(shí)，PWM控制器立即關(guān)斷以防止電感電流過(guò)高。

輕載Burst模式

HB6803能在輕載時(shí)自動(dòng)切換到Burst模式，提高工作效率。

當(dāng)電感的平均電流高于負(fù)載所需時(shí)，誤差放大器EA的輸出會(huì)隨之降低，當(dāng)EA的輸出低到閾值時(shí)，進(jìn)入Burst的休眠模式，外部主MOSFET和整流MOSFET均關(guān)斷。此時(shí)，HB6803內(nèi)部大部分電路也關(guān)斷，總電流減小到60uA。當(dāng)輸出反饋電壓FB降低，誤差放大器的輸出開始升高，Burst的休眠模式終止，環(huán)路繼續(xù)正常工作。

輸出過(guò)電壓保護(hù)

HB6803內(nèi)置過(guò)電壓保護(hù)功能。當(dāng)輸出電壓過(guò)高時(shí)，比如說(shuō)負(fù)載突然移除時(shí)產(chǎn)生的過(guò)電壓，該功能可以保護(hù)芯片本身和其他元器件。當(dāng)FB大于1.1V時(shí)，該功能立即關(guān)閉PWM控制器，底部和整流MOSFET的驅(qū)動(dòng)。

 功能描述

主控制回路

HB6803采用恒定頻率，電流模升壓控制結(jié)構(gòu)。在正常模式，底部主功率MOSFET在時(shí)鐘置位時(shí)打開，在ICMP峰值電流控制比較器復(fù)位時(shí)關(guān)斷。峰值電流比較器的由電感電流和誤差放大器EA的輸出觸發(fā)和產(chǎn)生復(fù)位信號(hào)。誤差放大器比較輸出的反饋電壓FB和內(nèi)部的1.2V基準(zhǔn)。

在底部主功率MOSFET關(guān)斷時(shí)，頂部整流MOSFET開啟；在電感電流臨界，即將開始反向時(shí)，頂部整流MOSFET斷開。

LDO輸出

    對(duì)頂部和底部MOSFET驅(qū)動(dòng)和大部分內(nèi)部電路供電。電流限制在50mA。

關(guān)閉和啟動(dòng)

HB6803在ENB為高時(shí)關(guān)閉。此時(shí)芯片的功耗降到8uA以下。ENB為邏輯低電平時(shí)，芯片啟動(dòng)。

峰值電流限制

HB6803在正常模式工作時(shí)，外部檢測(cè)電阻上的壓降超過(guò)120mV時(shí)，PWM控制器立即關(guān)斷以防止電感電流過(guò)高。

輕載Burst模式

HB6803能在輕載時(shí)自動(dòng)切換到Burst模式，提高工作效率。

當(dāng)電感的平均電流高于負(fù)載所需時(shí)，誤差放大器EA的輸出會(huì)隨之降低，當(dāng)EA的輸出低到閾值時(shí)，進(jìn)入Burst的休眠模式，外部主MOSFET和整流MOSFET均關(guān)斷。此時(shí)，HB6803內(nèi)部大部分電路也關(guān)斷，總電流減小到60uA。當(dāng)輸出反饋電壓FB降低，誤差放大器的輸出開始升高，Burst的休眠模式終止，環(huán)路繼續(xù)正常工作。

輸出過(guò)電壓保護(hù)

HB6803內(nèi)置過(guò)電壓保護(hù)功能。當(dāng)輸出電壓過(guò)高時(shí)，比如說(shuō)負(fù)載突然移除時(shí)產(chǎn)生的過(guò)電壓，該功能可以保護(hù)芯片本身和其他元器件。當(dāng)FB大于1.1V時(shí)，該功能立即關(guān)閉PWM控制器，底部和整流MOSFET的驅(qū)動(dòng)。