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“金貴”的第三代半導(dǎo)體材料，封裝過程中降低“受損率”至關(guān)重要
點(diǎn)擊次數(shù)：167 發(fā)布時(shí)間：2021/3/29
半導(dǎo)體封裝是一套非常復(fù)雜的流程，支撐起了全球龐大的產(chǎn)業(yè)鏈條，這個(gè)鏈條上的每一環(huán)都有著細(xì)致的分工和嚴(yán)苛的要求，封裝形式和封裝技術(shù)也非常多，且在不斷迭代當(dāng)中。
籠統(tǒng)來講，封裝技術(shù)就是將集成電路用絕緣的塑料或陶瓷材料打包的技術(shù)。
而集成電路則是將具有一定功能的電路所需的半導(dǎo)體、電阻、電容等元件及布線全部集成在一小塊硅片上，再封裝在一個(gè)管殼內(nèi)所形成的微型結(jié)構(gòu)。 當(dāng)今半導(dǎo)體工業(yè)大多數(shù)應(yīng)用的都是基于硅（Si）和鍺（Ge）的集成電路，硅（Si）和鍺（Ge）也就是我們所說的代半導(dǎo)體材料。
隨著終端市場(chǎng)需求的不斷升級(jí)，如今半導(dǎo)體材料已經(jīng)發(fā)展到了第三代，第四代也已在研究當(dāng)中，雖然現(xiàn)在還未得到廣泛應(yīng)用，但對(duì)下游產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展有著積極的導(dǎo)向作用
第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用難點(diǎn)
1.成本高
SiC成本高昂，同等規(guī)格的SiC器件比硅器件單個(gè)管芯的價(jià)格要高3-5倍。盡管SiC在晶圓上的尺寸可以做到很小，平均下來可降低一定的成本，但總體來說還是更貴。
2.易碎
SiC是一種天然超晶格，十分易碎，制備難度相對(duì)較大。雖然目前SiC襯底制造技術(shù)已經(jīng)達(dá)到8英寸水平，但要突破更大尺寸的生產(chǎn)，提高生產(chǎn)良率，依然是個(gè)難題。
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