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技術(shù)文章
PDHID氦離子化檢測(cè)器介紹
PDHID氦離子化檢測(cè)器介紹
氣體分析常用檢測(cè)器性能比較 | ||||
種類(lèi) | 氦離子化檢測(cè)器 (PDHID) | 熱導(dǎo)檢測(cè)器 (TCD) | 氧化鋯檢測(cè)器 (ZrO2) | 氬離子檢測(cè)器(ArD) |
靈敏度 | 檢測(cè)靈敏度,氣體中雜質(zhì)的*小檢測(cè)濃度達(dá)5ppb | 檢測(cè)靈敏度較低,很難測(cè)定5ppm以下的雜質(zhì) | 檢測(cè)靈敏度較低,只能檢測(cè)0.1ppm 以上濃度的雜質(zhì) | 檢測(cè)靈敏度較低,只能檢測(cè)0.05ppm 以上濃度的雜質(zhì) |
通用性 | 通用型檢測(cè)器,對(duì)幾乎所有無(wú)機(jī)和有機(jī)物質(zhì)均有很高的響應(yīng),適用于所有高純氣體和電子工業(yè)用氣體 | 通用型檢測(cè)器 | 選擇性檢測(cè)器,只能檢測(cè)氣體中H2、O2、CH4、CO四種雜質(zhì) | 選擇性檢測(cè)器,只能檢測(cè)氬氣中組份 |
放射性 | u非放射性檢測(cè)器,使用安全 | 非放射性 | 非放射性 | 放射性檢測(cè)器 |
1、脈沖放電間隔和功率:
PDHID中放電電極距離為1.6mm,改變充電時(shí)間可改變經(jīng)過(guò)初級(jí)線(xiàn)圈的放電功率。充電時(shí)間越長(zhǎng)、功率越大。一般脈沖間隔為200-300μs,充電時(shí)間在40-45μs,基流和響應(yīng)值達(dá)*佳。因放電時(shí)間僅為1μs,而脈沖周期達(dá)幾百微秒,絕大部分時(shí)間放電電極是空載。所以放電區(qū)不會(huì)過(guò)熱。
2、偏電壓:
在放電區(qū)相鄰的電極上加一恒定的負(fù)偏電壓。響應(yīng)值隨偏電壓的增加而急劇增大,很快即達(dá)飽和。在飽和區(qū)響應(yīng)值基本不隨偏電壓而改變。PDHID在飽和區(qū)內(nèi)工作,噪聲較低。基流與偏電壓的關(guān)系同響應(yīng)值與偏電壓。
3、通過(guò)放電區(qū)的氦流速:
氦通過(guò)放電區(qū)有兩個(gè)目的:a.保持放電區(qū)的潔凈,以便氦被激發(fā);b.它作為尾吹氣加入,以減少被測(cè)組分在檢測(cè)器的滯留時(shí)間。只是它和傳統(tǒng)的尾吹氣加入方向相反。池體積為113ul,對(duì)峰寬為5s的色譜峰,要求氦流速為6.8-13.6ml/min,如果峰寬窄至1s,流速應(yīng)提高到34-68ml/min,以保持被測(cè)組分在檢測(cè)器的滯留時(shí)間短至該峰寬的10%-20%。
4、電離方式和性能特征:
PDHID的電離方式尚不十分明朗,綜合文獻(xiàn)敘述,電離過(guò)程有三部分組成:a.氦中放電發(fā)射出13.5-17.7eV的連續(xù)輻射光進(jìn)行光電離;b.被高壓脈沖加速的電子直接電離組分AB,產(chǎn)生信號(hào),或直接電離載氣和雜質(zhì)產(chǎn)生基流;c.亞穩(wěn)態(tài)氦與組分反應(yīng)電離產(chǎn)生信號(hào),或與雜質(zhì)反應(yīng)電離產(chǎn)生基流。.
e + AB→AB+ + 2e
e + He→He**→ He* + hν
He* + AB→AB+ + e + He
原創(chuàng)作者:上海金凱德分析儀器有限公司