產(chǎn)品展示
優(yōu)質(zhì)供應(yīng)
詳細(xì)內(nèi)容
LED電源芯片
SM7012 芯片工作電壓范圍寬，達(dá)到 9V——38V，此特性可以很方便的應(yīng)用在某些特殊的
領(lǐng)域，比如電池充電器等。當(dāng)開關(guān)電源啟動(dòng)后，C2 電容上的電壓會(huì)通過(guò) T2 原邊線圈、
芯片內(nèi)部的高壓?jiǎn)?dòng) MOS 管向芯片 VDD 電容
C4 充電。當(dāng) C4 電容電壓達(dá)到 16V，內(nèi)部高壓?jiǎn)?dòng) MOS 管關(guān)閉，同時(shí) PWM 開啟，系統(tǒng)
開始工作。當(dāng) C4 電容電壓下降到 9V 以下，關(guān)閉 PWM 信號(hào)，同時(shí)芯片將會(huì)產(chǎn)生復(fù)位信
號(hào)，使系統(tǒng)重新啟動(dòng)。這就是欠壓保護(hù)。
上圖中驅(qū)動(dòng)電源icSM7012 D1-D4、C2 組成全波整流，D5、R1、C3 組成 RCD 吸收回路
，消除變壓器 T2 漏感產(chǎn)生的尖峰電壓，
避免擊穿 驅(qū)動(dòng)電源管理icSM7012 內(nèi)部的高壓 MOS 管。
輸出部分 U3、U2、R5、R6、R3、R4、C8 組成采樣反饋電路，R5、R6 決定系統(tǒng)的輸出電
壓，輸出電壓 VOUT.
等于：
VOUT R5 R6 2.5V
R6
R3、R4 限制 U2 光耦 PC817B 的電流，避免影響反饋回路。C8 的加入使得系統(tǒng)反饋更加
穩(wěn)定，避免振蕩。
VDD 電壓部分
驅(qū)動(dòng)電源芯片SM7012 芯片工作電壓范圍寬，達(dá)到 9V——38V，此特性可以很方便的應(yīng)用
在某些特殊的領(lǐng)域，比如電池充
電器等。
當(dāng)開關(guān)電源啟動(dòng)后，驅(qū)動(dòng)電源管理icSM7012 C2 電容上的電壓會(huì)通過(guò) T2 原邊線圈、芯片
內(nèi)部的高壓?jiǎn)?dòng) MOS 管向芯片 VDD 電容
C4 充電。當(dāng) C4 電容電壓達(dá)到 16V，內(nèi)部高壓?jiǎn)?dòng) MOS 管關(guān)閉，同時(shí) PWM 開啟，系統(tǒng)
開始工作。
當(dāng) C4 電容電壓下降到 9V 以下，關(guān)閉 PWM 信號(hào)，同時(shí)芯片將會(huì)產(chǎn)生復(fù)位信號(hào)，使系統(tǒng)
重新啟動(dòng)。這就是
欠壓保護(hù)。
IFB 電流大，ID 的電流就小；IFB 電流小，ID 的電流就大。當(dāng) IFB 的電流大于 IFBSD
時(shí)，芯片會(huì)關(guān)閉 PWM，此時(shí)的 ID 的值大約為 85mA，同時(shí)芯片會(huì)自動(dòng)進(jìn)入突發(fā)模式。這
對(duì)于系統(tǒng)工作在空載或者輕載至關(guān)重要。
LED驅(qū)動(dòng)電源管理icSM7012主要特點(diǎn):
寬電壓 85~265Vac 輸入
待機(jī)功耗小于 120mW@220Vac
集成高壓?jiǎn)?dòng)電路
集成高壓功率開關(guān)
9V~38V 寬 VDD 工作電壓
電流模式 PWM 控制方式
內(nèi)置過(guò)溫、過(guò)流、過(guò)壓、欠壓鎖定等保護(hù)功能
SM7012 兼容 VIPer12 管腳（不需要修改電路走線及變壓器）
封裝形式：DIP8、SOP8
驅(qū)動(dòng)電源管理icSM7012變壓器參數(shù)設(shè)計(jì)
1）骨架EE10（4+4）臥式普通磁芯
2）電感量L為：1.6mH
3）N1：0.19mm線徑為繞150匝
4）N2：0.19mm線徑為繞64匝
驅(qū)動(dòng)電源管理icSM7012主要應(yīng)用領(lǐng)域:
典型電磁爐 BUCK 電路應(yīng)用方案
小功率充電器
小功率適配器
待機(jī)電源
DVD、DVB 以及其他便攜式設(shè)備電源
電器等。
當(dāng)開關(guān)電源啟動(dòng)后，驅(qū)動(dòng)電源管理icSM7012 C2 電容上的電壓會(huì)通過(guò) T2 原邊線圈、芯片
內(nèi)部的高壓?jiǎn)?dòng) MOS 管向芯片 VDD 電容
C4 充電。當(dāng) C4 電容電壓達(dá)到 16V，內(nèi)部高壓?jiǎn)?dòng) MOS 管關(guān)閉，同時(shí) PWM 開啟，系統(tǒng)
開始工作。
當(dāng) C4 電容電壓下降到 9V 以下，關(guān)閉 PWM 信號(hào)，同時(shí)芯片將會(huì)產(chǎn)生復(fù)位信號(hào)，使系統(tǒng)
重新啟動(dòng)。這就是
欠壓保護(hù)。
IFB 電流大，ID 的電流就�。籌FB 電流小，ID 的電流就大。當(dāng) IFB 的電流大于 IFBSD
時(shí)，芯片會(huì)關(guān)閉 PWM，此時(shí)的 ID 的值大約為 85mA，同時(shí)芯片會(huì)自動(dòng)進(jìn)入突發(fā)模式。這
電器等。
當(dāng)開關(guān)電源啟動(dòng)后，驅(qū)動(dòng)電源管理icSM7012 C2 電容上的電壓會(huì)通過(guò) T2 原邊線圈、芯片
內(nèi)部的高壓?jiǎn)?dòng) MOS 管向芯片 VDD 電容
C4 充電。當(dāng) C4 電容電壓達(dá)到 16V，內(nèi)部高壓?jiǎn)?dòng) MOS 管關(guān)閉，同時(shí) PWM 開啟，系統(tǒng)
開始工作。
當(dāng) C4 電容電壓下降到 9V 以下，關(guān)閉 PWM 信號(hào)，同時(shí)芯片將會(huì)產(chǎn)生復(fù)位信號(hào)，使系統(tǒng)
重新啟動(dòng)。這就是
欠壓保護(hù)。
IFB 電流大，ID 的電流就��；IFB 電流小，ID 的電流就大。當(dāng) IFB 的電流大于 IFBSD
時(shí)，芯片會(huì)關(guān)閉 PWM，此時(shí)的 ID 的值大約為 85mA，同時(shí)芯片會(huì)自動(dòng)進(jìn)入突發(fā)模式。這
電器等。
當(dāng)開關(guān)電源啟動(dòng)后，驅(qū)動(dòng)電源管理icSM7012 C2 電容上的電壓會(huì)通過(guò) T2 原邊線圈、芯片
內(nèi)部的高壓?jiǎn)?dòng) MOS 管向芯片 VDD 電容
C4 充電。當(dāng) C4 電容電壓達(dá)到 16V，內(nèi)部高壓?jiǎn)?dòng) MOS 管關(guān)閉，同時(shí) PWM 開啟，系統(tǒng)
開始工作。
當(dāng) C4 電容電壓下降到 9V 以下，關(guān)閉 PWM 信號(hào)，同時(shí)芯片將會(huì)產(chǎn)生復(fù)位信號(hào)，使系統(tǒng)
重新啟動(dòng)。這就是
欠壓保護(hù)。
IFB 電流大，ID 的電流就小；IFB 電流小，ID 的電流就大。當(dāng) IFB 的電流大于 IFBSD
時(shí)，芯片會(huì)關(guān)閉 PWM，此時(shí)的 ID 的值大約為 85mA，同時(shí)芯片會(huì)自動(dòng)進(jìn)入突發(fā)模式。這電器等。
當(dāng)開關(guān)電源啟動(dòng)后，驅(qū)動(dòng)電源管理icSM7012 C2 電容上的電壓會(huì)通過(guò) T2 原邊線圈、芯片
內(nèi)部的高壓?jiǎn)?dòng) MOS 管向芯片 VDD 電容
C4 充電。當(dāng) C4 電容電壓達(dá)到 16V，內(nèi)部高壓?jiǎn)?dòng) MOS 管關(guān)閉，同時(shí) PWM 開啟，系統(tǒng)
開始工作。
當(dāng) C4 電容電壓下降到 9V 以下，關(guān)閉 PWM 信號(hào)，同時(shí)芯片將會(huì)產(chǎn)生復(fù)位信號(hào)，使系統(tǒng)
重新啟動(dòng)。這就是
欠壓保護(hù)。
IFB 電流大，ID 的電流就小；IFB 電流小，ID 的電流就大。當(dāng) IFB 的電流大于 IFBSD
時(shí)，芯片會(huì)關(guān)閉 PWM，此時(shí)的 ID 的值大約為 85mA，同時(shí)芯片會(huì)自動(dòng)進(jìn)入突發(fā)模式。這
