IC雙束電漿離子束,上海雙束電漿離子束公司,宜特檢測雙束電漿離子束 (Plasma FIB)宜特建置業(yè)界相當(dāng)新型FEI Helios Plasma FIB (簡稱PFIB)，蝕刻速率提升20倍，且配置高分辨率的SEM，能在數(shù)百微米的大范圍內(nèi)，精細(xì)定位出奈米尺度的特征物或異常點(diǎn)。若是小范圍且局部的Cross section分析，仍建議使用Dual-Beam FIB，邊切邊拍，讓您快速取得結(jié)構(gòu)圖。但大范圍結(jié)構(gòu)觀察(剖面>100um或 深度>50um以上)，即推薦使用PFIB，不但蝕刻速率提升20倍，可獲得更精細(xì)的分析結(jié)果，又可避免使用傳統(tǒng)研磨的方式，因研磨應(yīng)力產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)損壞與定位精細(xì)度的問題。Plasma FIB分析應(yīng)用大范圍的結(jié)構(gòu)觀察(>100μm以上)，包括：3D IC、硅穿孔結(jié)構(gòu)(TSV )、錫球(Solder ball)及銅柱(Cu pillar)、封裝產(chǎn)品(WLCSP FA)等。 Delayer應(yīng)用 (16nm制程以下)。 關(guān)于宜特：iST始創(chuàng)于1994年的臺(tái)灣，主要以提供集成電路行業(yè)可靠性驗(yàn)證、材料分析、失效分析、無線認(rèn)證等技術(shù)服務(wù)。2002年進(jìn)駐上海，全球現(xiàn)已有7座實(shí)驗(yàn)室12個(gè)服務(wù)據(jù)點(diǎn)，目前已然成為深具影響力之芯片驗(yàn)證第三方實(shí)驗(yàn)室。雙束電漿離子束 (Plasma FIB)