掃描電鏡(SEM)原理 掃描式電子顯微鏡（Scanning Electron Microscope, SEM）主要利用電子光學(xué)系統(tǒng)將電子槍產(chǎn)生的電子聚焦成一微小的電子束至樣品表面，并利用掃描線圈使其在樣品表面上掃描。 電子束與樣品間的交互作用會激發(fā)出各種訊號，如: 二次電子、背向散射電子及特性X光等，SEM主要就是收集二次電子的訊號來成像。由于SEM分辨率高，放大倍率可達(dá)到數(shù)十萬倍以上，且景深大，主要是用來觀察樣品表面及剖面微結(jié)構(gòu)，如在設(shè)備上加裝能量分散X光譜儀(Energy Dispersive Spectrometer, EDS)時，可對樣品表面同時進(jìn)行微區(qū)之材料分析，包括定性、半定量之元素分析以及特定區(qū)域之Point、Line Scan、Mapping分析。 iST服務(wù)優(yōu)勢 宜特?fù)碛卸嗯_目前業(yè)界主流的場發(fā)射掃描式電子顯微鏡(FE-SEM)：Verios460L、SU8020、SU8220、Jeol 6700F、Hitachi S-4700，且加裝EDS (SDD detector)，可提供目前業(yè)界特高解析之表面結(jié)構(gòu)分析影像，亦可快速進(jìn)行材料成份之分析。 應(yīng)用 針對各種材料表面微結(jié)構(gòu)觀察。藉由SEM本身之量測功能，可提供精確之尺寸量測，如膜厚等。EDS可提供樣品表面之微區(qū)定性或半定量之成份元素分析，以及特定區(qū)域之Point、Line Scan、Mapping分析；其中SDD detector更能在低電壓下，提升Mapping的空間分辨率。SEM自動拍照，搭配層次去除技術(shù)de-process可提供電路逆向工程參考。 利用低能電子束掃描做被動式影像對比(Passive Voltage Contrast, PVC)，對于異常漏電或接觸不良的半導(dǎo)體組件損壞可以精確的定位，提供故障分析之判斷。 關(guān)于宜特：iST始創(chuàng)于1994年的臺灣，主要以提供集成電路行業(yè)可靠性驗證、失效分析、材料分析、無線認(rèn)證等技術(shù)服務(wù)。2002年進(jìn)駐上海，全球現(xiàn)已有7座實驗室12個服務(wù)據(jù)點，目前已然成為深具影響力之芯片驗證第三方實驗室。