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產(chǎn)品展示

微光顯微鏡EMMI測試

點擊次數(shù):0發(fā)布時間:2017/8/23 17:05:12

微光顯微鏡EMMI測試

更新日期:2017/8/23 17:05:12

所 在 地:中國大陸

產(chǎn)品型號:

簡單介紹:iST宜特始創(chuàng)于1994年,從IC線路除錯修改起家,逐年拓展新服務(wù),包括故障分析、可靠度驗證、化學(xué)分析與有線無線認(rèn)證等,建構(gòu)完整IC驗證與分析工程服務(wù)平臺。服務(wù)范圍囊括IC產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈上中下游之客群。隨著云端、物聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)的快速興起,iST不僅專注核心服務(wù),并關(guān)注規(guī)范趨勢,不斷拓展多元性服務(wù),建置車用電子驗證平臺、高速傳輸訊號測試與無線訊號驗證,與工藝材料分析技術(shù)。追求精確、效率、完美的i

相關(guān)標(biāo)簽:微光顯微鏡EMMI測試 

優(yōu)質(zhì)供應(yīng)

詳細(xì)內(nèi)容

微光顯微鏡EMMI測試微光,上海微光顯微鏡EMMI公司,宜特檢測微光顯微鏡(EMMI)對于半導(dǎo)體組件之故障分析而言,微光顯微鏡(Emission Microscope, EMMI)已被學(xué)理證實是一種相當(dāng)有用且效率極高的診斷工具。該設(shè)備具備高靈敏度的CCD,可偵測到組件中電子-電洞對再結(jié)合時所發(fā)射出來的光子,能偵測到的波長約在 350 nm ~ 1100 nm 左右。目前此設(shè)備全方面的應(yīng)用于偵測各種組件缺點所產(chǎn)生的漏電流,如: Gate oxide defects / Leakage、Latch up、ESD failure、junction Leakage 等。偵測的到亮點之情況:會產(chǎn)生亮點的缺點 - Junction Leakage; Contact spiking; Hot electrons; Latch-Up; Gate oxide defects / Leakage(F-N current); Poly-silicon filaments; Substrate damage; Mechanical damage及Junction Avalanche等。原來就會有的亮點 - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse biased diodes(break down) 等。關(guān)于宜特:iST始創(chuàng)于1994年的臺灣,主要以集成電路行業(yè)可靠性驗證、材料分析、失效分析、無線認(rèn)證等技術(shù)服務(wù)。2002年進(jìn)駐上海,目前全球已有7座實驗室12個服務(wù)據(jù)點,目前已然成為深具影響力之芯片驗證第三方實驗室

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