透射電子顯微鏡(TEM)性能特強(qiáng)的材料分析、可達(dá)0.1奈米影像分辨率設(shè)備的TEM，將可針對(duì)材料之顯微結(jié)構(gòu)、晶體缺點(diǎn)、化學(xué)成分進(jìn)行分析；搭配上EDS、HAADF(ZC)、應(yīng)力分析等功能，更能得到原子尺度結(jié)構(gòu)與成份信息，解決制程上各種難題。iST宜特TEM分析四大優(yōu)勢(shì) 一、市場(chǎng)的分析能力：已達(dá)5奈米制程節(jié)點(diǎn)； 二、快速交期：三班制24小時(shí)運(yùn)作； 三、FEI、JEOL等特高階設(shè)備，供您選擇(參見(jiàn)下表)； 四、樣品制備能量：八臺(tái)業(yè)界特高階FEI Helios 660 Dual-beam FIB設(shè)備，搭配解除試片損傷層(離子束能量可低至100 eV)的技術(shù)，將協(xié)助您取得特高質(zhì)量TEM影像。 TEM應(yīng)用范圍: 顯微結(jié)構(gòu)分析(晶格影像) 結(jié)晶缺點(diǎn)分析 元素成分分析 薄膜應(yīng)力分析 電子繞射圖分析 雜質(zhì)及污染源分析 機(jī)臺(tái)型號(hào)／規(guī)格 關(guān)于宜特：iST始創(chuàng)于1994年的臺(tái)灣，主要以提供集成電路行業(yè)可靠性驗(yàn)證、失效分析、材料分析、無(wú)線認(rèn)證等技術(shù)服務(wù)。2002年進(jìn)駐上海，全球現(xiàn)已有7座實(shí)驗(yàn)室12個(gè)服務(wù)據(jù)點(diǎn)，目前已然成為深具影響力之芯片驗(yàn)證第三方實(shí)驗(yàn)室。