雙束電漿離子束 (Plasma FIB)宜特建置業(yè)界特新型FEI Helios Plasma FIB (簡稱PFIB)，蝕刻速率提升20倍，且配置高分辨率的SEM，能在數(shù)百微米的大范圍內(nèi)，精細定位出奈米尺度的特征物或異常點。若是小范圍且局部的Cross section分析，仍建議使用Dual-Beam FIB，邊切邊拍，讓您快速取得結構圖。但大范圍結構觀察(剖面>100um或 深度>50um以上)，即推薦使用PFIB，不但蝕刻速率提升20倍，可獲得更精細的分析結果，又可避免使用傳統(tǒng)研磨的方式，因研磨應力產(chǎn)生的結構損壞與定位精細度的問題。Plasma FIB分析應用大范圍的結構觀察(>100μm以上)，包括： 3D IC、硅穿孔結構(TSV )、錫球(Solder ball)及銅柱(Cu pillar)、封裝產(chǎn)品(WLCSP FA)等。 Delayer應用 (16nm制程以下)。 關于宜特：iST始創(chuàng)于1994年的臺灣，主要以提供集成電路行業(yè)可靠性驗證、失效分析、材料分析、無線認證等技術服務。2002年進駐上海，全球現(xiàn)已有7座實驗室12個服務據(jù)點，目前已然成為深具影響力之芯片驗證第三方實驗室。