EMC測(cè)試

原理

隨著科技創(chuàng)新需求，無(wú)論在消費(fèi)性電子或汽車電子領(lǐng)域，電子系統(tǒng)功能越做越強(qiáng)大，產(chǎn)品主要組件-IC電路設(shè)計(jì)就越趨復(fù)雜，電磁干擾(EMI)與電磁耐受(EMS)問(wèn)題，備受關(guān)注。

IC設(shè)計(jì)者，為了滿足終端產(chǎn)品在功能與成本上的需求，使得IC組件均朝向多功能、高速、大容量、高密度等輕、薄、短、小、快的方向發(fā)展；加上制程與封裝技術(shù)的演進(jìn)，在更小的晶粒中擁有更多的I/O數(shù)量；同時(shí)為了降低成本，還要將晶粒體積不斷微型化。以上種種，均使得終端產(chǎn)品電磁干擾(EMI)的情形更加惡化，電磁耐受的能力(EMS)大幅降低。

無(wú)論從理論推導(dǎo)或?qū)嶒?yàn)數(shù)據(jù)來(lái)看，電磁兼容性的問(wèn)題早在選用IC組件時(shí)就已有初步定論，只是長(zhǎng)期以來(lái)，這些因IC所誘發(fā)的EMC(電磁兼容)問(wèn)題，都是到了產(chǎn)品設(shè)計(jì)后段時(shí)(終端產(chǎn)品)才開始解決，也因此增加了解決問(wèn)題的困難性與復(fù)雜度。

因此，終端產(chǎn)品業(yè)者，在采購(gòu)IC時(shí)，就必須要求IC設(shè)計(jì)供貨商提供IC EMC量測(cè)報(bào)告，若能在IC 設(shè)計(jì)階段，越早了解IC EMC狀態(tài)，并對(duì)IC實(shí)施電磁干擾防治措施，將大幅降低電磁干擾產(chǎn)生的機(jī)率與產(chǎn)品修改成本。

應(yīng)用
近年來(lái)，無(wú)論歐盟或臺(tái)灣標(biāo)檢局，均積極推動(dòng)有關(guān)IC EMC規(guī)范的制定與整合。在上，車用電子產(chǎn)業(yè)早已導(dǎo)入IC EMC的強(qiáng)制檢驗(yàn)要求。為服務(wù)廣大客戶的需求，宜特科技于日前完成IC EMI 電磁干擾實(shí)驗(yàn)?zāi)芰ㄖ茫瑥腎C EMl電路板Layout/制作，到IC EMI量測(cè)/分析，均能夠提供完整測(cè)試服務(wù)。

在測(cè)試完畢后，亦可依照不同規(guī)范的限制需求，出具試驗(yàn)結(jié)果的比對(duì)報(bào)告(如SAEJ1752-3、IEC61967-2、CISPR22、FCC等)。

宜特科技除了能夠針對(duì)IC進(jìn)行EMI量測(cè)分析外，同時(shí)也建置了針對(duì)IC或IC上板后(PCBA)的近場(chǎng)掃描分析能力(Near field Scanner)，以提供除錯(cuò)(Debug)時(shí)使用，此種近場(chǎng)掃描方式有別于舊式手持探棒方式，系以高空間解析晶粒等級(jí)的近場(chǎng)掃描，可完全透視IC或PCBA上的某顆特定IC表面電磁輻射干擾源(EMI Source)的位置、干擾源分段頻率強(qiáng)度等，再搭配IC線路修改技術(shù)的應(yīng)用，提供解決IC EMI重要參考指標(biāo)。

TEM　cell可判定噪聲等級(jí)，若要進(jìn)一步正確判別干擾源的位置，可藉由Near field scanner，以近場(chǎng)探棒，量測(cè)噪聲強(qiáng)度的分布范圍，將可幫助IC與PCB產(chǎn)品開發(fā)者，找到正確干擾源，并對(duì)失效產(chǎn)品下對(duì)策。

有別于舊式手持近場(chǎng)探棒，宜特科技引進(jìn)極高空間分辨率的芯片等級(jí)近場(chǎng)探棒與高精密度的移動(dòng)手臂，能夠完全透視IC表面電磁輻射干擾位置，在IC輻射干擾較大的頻段中，提供解決電磁兼容問(wèn)題的重要指標(biāo)。

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關(guān)于宜特：

iST始創(chuàng)于1994年的臺(tái)灣，主要以提供集成電路行業(yè)可靠性驗(yàn)證、材料分析、失效分析、無(wú)線認(rèn)證等技術(shù)服務(wù)。2002年進(jìn)駐上海，全球現(xiàn)已有7座實(shí)驗(yàn)室12個(gè)服務(wù)據(jù)點(diǎn)，目前已然成為深具影響力之芯片驗(yàn)證第三方實(shí)驗(yàn)室。