產(chǎn)品展示
優(yōu)質(zhì)供應
詳細內(nèi)容
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—電容器兩極板充滿介質(zhì)時的電容； C??—電容器兩極板為真空時的電容； ??—電容量增加的倍數(shù)，即相對介電常數(shù) 介電常數(shù)的大小表示該介質(zhì)中空間電荷互相作用減弱的程度。作為高頻絕緣材料，?要小，特別是用于高壓絕緣時。在制造高電容器時，則要求?要大，特別是小型電容器。 在絕緣技術(shù)中，特別是選擇絕緣材料或介質(zhì)貯能材料時，都需要考慮電介質(zhì)的介電常數(shù)。此外，由于介電常數(shù)取決于極化，而極化又取決于電介質(zhì)的分子結(jié)構(gòu)和分子運動的形式。所以，通過介電常數(shù)隨電場強度、頻率和溫度變化規(guī)律的研究，還可以推斷絕緣材料的分子結(jié)構(gòu)。 2．介電損耗(tg?)：指電介質(zhì)材料在外電場作用下發(fā)熱而損耗的那部分能量。在直流電場作用下，介質(zhì)沒有周期性損耗，基本上是穩(wěn)態(tài)電流造成的損耗；在交流電場作用下，介質(zhì)損耗除了穩(wěn)態(tài)電流損耗外，還有各種交流損耗。由于電場的頻繁轉(zhuǎn)向，電介質(zhì)中的損耗要比直流電場作用時大許多(有時達到幾千倍)，因此介質(zhì)損耗通常是指交流損耗。 在工程中，常將介電損耗用介質(zhì)損耗角正切tg?來表示。tg?是絕緣體的無效消耗 2 的能量對有效輸入的比例，它表示材料在一周期內(nèi)熱功率損耗與貯存之比，是衡量材料損耗程度的物理量。?1 ? tg 式中：ω —電源角頻率； R —并聯(lián)等效交流電阻； C —并聯(lián)等效交流電容器 凡是體積電阻率小的，其介電損耗就大。介質(zhì)損耗對于用在高壓裝置、高頻設(shè)備，特別是用在高壓、高頻等地方的材料和器件具有特別重要的意義，介質(zhì)損耗過大，不僅降低整機的性能，甚至會造成絕緣材料的熱擊穿。 3、Q值：tg?的倒數(shù)稱為品質(zhì)因素，或稱Q值。Q值大，介電損失小，說明品質(zhì)好。所以在選用電介質(zhì)前，必須首先測定它們的?和tg?。而這兩者的測定是分不開的。 通常測量材料介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切的方法有二種：交流電橋法和Q表測量法，其中Q表測量法在測量時由于操作與計算比較簡便而廣泛采用。本實驗主要采用的是Q表測量法。 Q表的測量回路是一個簡單的R—L—C回路，如圖1所示。當回路兩瑞加上電壓V后，電容器C的兩端電壓為Vc，調(diào)節(jié)電容器C使回路諧振后，回路的品質(zhì)因數(shù)Q就可以用下式表示：
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https://club.1688.com/article/61780017.html
http://cn.trustexporter.com/cp-wangse76d/o4055810.htm
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