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優(yōu)質供應
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PECVD工藝中由于等離子體中高速運動的電子撞擊到中性的反應氣體分子，就會使中性反應氣體分子變成碎片或處于激活的狀態(tài)容易發(fā)生反應；借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發(fā)生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜；具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質量好、針孔較少、不易龜裂等優(yōu)點；
1200℃高真空PECVD系統(tǒng)通過滑動爐體來實現快速的升降溫，配置不同的真空系統(tǒng)來達到理想的真空度；同時通過多路高精度質量流量計控制不同氣體。 主要應用于高校、科研院所用于真空鍍膜、納米薄膜材料制備，生長薄膜石墨烯，金屬薄膜，陶瓷薄膜，復合薄膜等，也可作為擴展等離子清洗刻蝕使用。
二、主要技術參數：
| 爐體結構 | 整機采用SUS304不銹鋼材質，流線型外觀，斷熱式結構； 日本技術真空吸附成型的優(yōu)質高純氧化鋁多晶纖維固化爐膛，保溫性能好 爐子底部裝有一對滑軌，移動平穩(wěn) 爐子可以手動從一端滑向另一端，實現快速的加熱和冷卻 爐蓋可開啟，可以實時觀察加熱的物料 |
| 電源 | 電壓：AC220V 50/60Hz；功率：4KW |
| 爐管 | 高純石英管，高溫下化學穩(wěn)定性強，耐腐蝕，熱膨脹系數極小 尺寸：Φ60*1200mm |
| 法蘭及支撐 | SUS304不銹鋼快速法蘭，通過用高溫“O”型圈緊密密封可獲得高真空 一個卡箍就能完成法蘭的連接，放、取物料方便快捷 可調節(jié)的法蘭支撐，平衡爐管的受力支撐 包含進氣、出氣、真空抽口針閥，KF密封圈及卡箍組合 |
| 加熱系統(tǒng) | 加熱元件采用優(yōu)質合金絲0Cr27Al7Mo2，表面負荷高、經久耐用 加熱區(qū)長度：300mm 恒溫區(qū)長度：150mm 工作溫度：≤1150℃ 溫度：1200℃ 升溫速率：10℃/min |
| 溫控系統(tǒng) | 日本富士溫控儀表，64段控溫程序，可分步、分段
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| 混氣系統(tǒng) | 三路質量流量計：數字顯示、氣體流量自動控制 內置不銹鋼混氣箱，每路氣體管路均配有逆止閥 管路采用不銹鋼管，接口為Φ6卡套 每路氣體進氣管路配有不銹鋼針閥 通過控制面板上的旋鈕來調節(jié)氣體流量 流量規(guī)格：0~200sccm 流量精度：±1.5% |
| 高真空真空系統(tǒng) | 采用雙級旋片真空泵+分子泵，極限真空可達4.0*10^-4Pa 復合真空計，配置電阻規(guī)+電離規(guī) 抽速：110L/S 冷卻：風冷 電源:AC220V 50/60Hz |
| 射頻電源系統(tǒng) | 輸出功率:0-300W 功率穩(wěn)定度：±0.1% 射頻電源頻率:13.56MHz 穩(wěn)定性±0.005% 反向功率:120W 射頻電源電子輸出端口:UHF 冷卻:風冷 電源:AC187-253V 50/60Hz |
| 可選配件 | 混氣系統(tǒng),中、高真空系統(tǒng)，各種剛玉、石英坩堝，石英管，計算機控制軟件，無紙記錄儀，氧含量分析儀。 |
