M6362A 是一款高度集成的電流模式PWM 控制芯片，主要用于高性能、低待機功耗和低成本的離線反激式電源適配器中。
在滿載時，IC 在固定頻率(65KHz)模式下運行。
當負載降低時，工作在谷底導(dǎo)通的綠色工作模式，實現(xiàn)高功率下的高轉(zhuǎn)換效率。
當負載很小的時候，芯片以“擴展的突發(fā)模式”運行，以減少待機功耗。因此，在整個負載范圍內(nèi)可以實現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率。

電氣參數(shù) (Ta=25oC, VCC=18V,其余情況會做說明)
符號		參數(shù)		測試條件	*小	典型		單位
供電電壓(VDD)
I-startup		VCC 啟動電流		VCC=UVLO(OFF)-1V, 測量泄漏電流到 VCC		2	5	uA
I_VCC_Operation		工作電流		VDD=18V,SEN=4V, FB=3.5V,   測  量 I(VDD)		2.5	3	mA
I_VCC_Burst		突發(fā)電流		CS=0V,FB=0.5V, 測量 I(VDD)		0.6	0.7	mA
UVLO(ON)		VCC 欠壓鎖定（進入）			6.8	7.3	7.8	V
UVLO(OFF)		VCC 欠壓鎖定（解除）			16	17	18	V
Vpull-up		PMOS 電壓				10		V
OVP		VCC 過壓保護電壓		FB=3V,CS=0V.     逐 步 提高 VCC 電壓，直到無 開動作切換	26.5	28	29.5	V
反饋輸入(FB Pin)
VFB_Open		VFB  開環(huán)電壓				5.1		V
Avcs		PWM 輸入增益 ∆VFB/∆VCS				3.5		V/V
Maximum cycle	duty	*   大   占   空   比 VCC=18V,VFB=3V,VCS=0V	@		77	80	83	%
Vref_green		進入綠色模式閾值電壓				2.1		V
Vref_burst_H		突發(fā)模式退出閾值電壓				1.33		V
Vref_burst_L		突發(fā)模式進入閾值電壓				1.23		V
IFB_Short		FB 短路電流		FB 腳對地短路測試電流		0.21		mA
VTH_OLP		開環(huán)保護，FB 閥值電壓				4.4		V
Td_OLP		開環(huán)保護，反轉(zhuǎn)時間				60		ms
ZFB_IN		輸入阻抗				30		KΩ
電流信號輸入(SENPin)
SST_CS		SEN 峰值軟啟動時間				2		ms
T_blanking		前沿消隱時間				300		ns
Td_OC		過電流檢測和控制延遲		從過流開始一直到門極 驅(qū)動輸出開始關(guān)閉		90		ns
VTH_OC		占空比為 0 時內(nèi)部電流限制閾值電壓			0.43	0.45	0.47	V
VTH_OC_Clamp		OCP 時 SEN 嵌位電壓				0.72		V
PRT pin
IRT		外部 OTP 檢測輸出電流			94	100	106	uA
VOTP		外部閾值電壓			0.95	1	1.05	V
		過溫保護
Ioutput_ovp		輸出 OVP 的可調(diào)電流閾值		170	180	190	uA
Td_output_ovp		輸出 OVP 防反跳時間			5		Cycles
	內(nèi)部芯片 過溫保護
OTP enter		進入過溫保護溫度			150		℃
OTP exit		退出過溫保護溫度			120		℃
	振蕩器
FOSC		正常的振蕩頻率	VDD=18V,FB=3V, CS=0V	60	65	70	KHz
f_OSC		頻率抖動			+/-6		%
F_shuffling		調(diào)整頻率			32		Hz
f_Temp		頻率-溫度穩(wěn)定性			1		%
f_VCC		頻率-電壓穩(wěn)定性			1		%
F_Burst		突發(fā)模式開關(guān)頻率			25		KHz
	門極驅(qū)動
VOL		輸 出 低 電 壓  @  VDD=18V, Io=5mA				1	V
VOH		輸 出 高 電 壓 @   VCC=18V, Io=20mA		6			V
V_clamping		鉗位電壓輸出			11		V
T_r		輸出上升時間-1.2V ~   10.8V @ CL=1000pF			100		ns
T_f		輸出下降時間 10.8V ~ 1.2V @ CL=1000pF			30		ns

更多資料：茂捷半導(dǎo)體
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