產(chǎn)品展示
優(yōu)質(zhì)供應(yīng)
詳細(xì)內(nèi)容
源適配器。
啟動電流和啟動控制
M6362A 的啟動電流設(shè)計得非常低，VCC 可以在UVLO 閾值水平上充電，設(shè)備快速啟動。因此，可以用一
個大的值啟動電阻器來限度地減少功耗，并能在應(yīng)用中實現(xiàn)可靠的啟動。
工作電流
M6362A 的工作電流為2.5 ma(典型)。利用M6362A 低運行電流和“擴(kuò)展突發(fā)模式”控制功能實現(xiàn)了良好的效
率。
軟啟動
M6362A 內(nèi)部具有2ms(典型)軟啟動，以減弱啟動時電源供應(yīng)的電壓應(yīng)力。它在開機(jī)時被激活。當(dāng)VCC 到達(dá)
UVLO(OFF)時，CS 峰值電壓從0.05 v 逐漸增加到水平。每一次重啟之后都會有一個軟啟動。
頻率調(diào)整及EMI
M6362A 中具有頻率變換(開關(guān)頻率調(diào)制)功能。系統(tǒng)振蕩頻率被嚴(yán)格調(diào)制，避免進(jìn)入音頻范圍。頻率的擴(kuò)展
調(diào)制將電磁干擾減小到*小，從而降低了應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計難度。
高效率的復(fù)合工作模式
M6362A 是一種多模式的控制器。芯片根據(jù)FB 引腳電壓改變來改變工作模式。在正常操作條件,芯片在傳統(tǒng)
固定頻率(65 khz)PWM 模式。當(dāng)輸出負(fù)載電流降低時，芯片從PWM 模式順利進(jìn)入綠色模式。在這種模式下，開
關(guān)頻率將從65KHz 線性下降到25KHz，同時通過PRT 腳監(jiān)測輔助繞組上的電壓狀況可以實現(xiàn)谷底導(dǎo)通模式工作，
從而開關(guān)損耗*小化，實現(xiàn)了高轉(zhuǎn)換效率。
在輕負(fù)荷或無載工況下，開關(guān)式電源的大部分功率耗散是由MOSFET 的開關(guān)損耗以及變壓器的磁芯和控制
電路的線路損耗。功率損耗的大小與開關(guān)頻率成正比。降低開關(guān)頻率從而減小功率損耗，進(jìn)而節(jié)省能量，達(dá)到整
體能耗降低的目的。
開關(guān)頻率在空載或輕負(fù)荷情況下內(nèi)部自動進(jìn)行檢測調(diào)整。開關(guān)頻率在輕載/空載條件下降低，以提高轉(zhuǎn)換效率。
在輕負(fù)荷或無負(fù)載情況下，F(xiàn)B 電壓降低到Vref_burst_L(進(jìn)入突發(fā)模式閾值電壓)以下，系統(tǒng)進(jìn)入突發(fā)模式工作。
當(dāng)FB 電壓返回到Vref_burst_H(退出突發(fā)模式閾值電壓)以上時，Gate 驅(qū)動輸出開關(guān)。否則，門驅(qū)動器仍處于關(guān)
閉狀態(tài)，以盡量減少開關(guān)損耗，并將運行功耗降低到限度。
退磁檢測
通過PRT 腳對輔助繞組的電壓情況進(jìn)行監(jiān)測，檢測變壓器磁芯消磁情況。這種電壓具有回返極性。在導(dǎo)通
時間(由CS 電壓和FB 電壓決定)之后，開關(guān)就關(guān)閉了，反激退磁過程開始。反激退磁過程之后，輔助繞組殘余電
壓近似表現(xiàn)為跟隨頻率的振蕩形式1/2π LpCd 。Lp 是變壓器初級繞組的自身電感，Cd 是開關(guān)結(jié)點折合電容。
典型的檢測方式是檢測PRT 腳- 50mv 的電平。當(dāng)PRT 的電壓低于- 50mv 時，可以通過檢測識別判定為消磁過
程中一個可能的“谷”。
電流設(shè)置和前沿消隱
在M6362A 電流模式的PWM 控制中提供了逐周期的電流限制。開關(guān)電流通過檢測電阻檢測到SEN
pin。在初始的內(nèi)部功率MOSFET 上，由于存在緩沖二極管反向恢復(fù)和功率MOSFET 的浪涌門極電流，
內(nèi)部的前緣消隱電路將感應(yīng)電壓峰值降低。在消隱期間內(nèi)峰值電流限制比較器是禁用的，同時又不關(guān)閉
內(nèi)部功率MOSFET。整個系統(tǒng)的PWM 占空比由電流檢測輸入電壓和FB 輸入電壓共同決定。
內(nèi)部同步斜率補(bǔ)償
內(nèi)置的斜率補(bǔ)償電路為PWM 的電流檢測增加斜率補(bǔ)償。這大大改善了閉環(huán)CCM 工作模式的穩(wěn)定
性，防止次諧波振蕩，從而降低輸出紋波電壓。
驅(qū)動
功率MOSFET 是由芯片專門的開關(guān)控制驅(qū)動信號驅(qū)動的。太弱的柵極驅(qū)動力度會導(dǎo)致MOSFET
的產(chǎn)生較高的導(dǎo)通應(yīng)力和開關(guān)損耗，而太過強(qiáng)的驅(qū)動力度會導(dǎo)致強(qiáng)烈的電磁干擾，一個很好的權(quán)衡折衷
是通過內(nèi)置的圖騰柱設(shè)計，使驅(qū)動輸出具有合適的輸出強(qiáng)度和死時間控制，降低開關(guān)損耗。EMI 系統(tǒng)的
設(shè)計也更容易實現(xiàn)。
保護(hù)控制
良好的供電系統(tǒng)及可靠性是通過完善的自動恢復(fù)保護(hù)功能實現(xiàn)的，包括逐周期電流限制(OCP)，
VDD 欠壓鎖定保護(hù)(UVLO)，過溫度保護(hù)(OTP)，VDD 和輸出過電壓保護(hù)(OVP)。的OCP 補(bǔ)償技
術(shù)為線路提供電壓補(bǔ)償，以實現(xiàn)對通用全電壓輸入范圍的恒定輸出功率的限制。當(dāng)FB 輸入電壓大于
Td_OLP 超過功率限值閾值時，控制電路會關(guān)閉輸出。當(dāng)VDD 電壓降至UVLO 極限時，它重新啟動。
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