產(chǎn)品展示
優(yōu)質(zhì)供應
詳細內(nèi)容
特點：
■ 內(nèi)置有源功率因數(shù)校正
■ 電感電流臨界連續(xù)模式
■ 高性能的線電壓調(diào)整率和負載調(diào)整率
■ ±3%輸出電流精度
■ 內(nèi)置500V功率MOSFET
■ 啟動電流
■ 高達95%的系統(tǒng)效率
■ LED開路/短路保護
■ 電流采樣電阻開路保護
■ 逐周期原邊電流限流
■ 芯片供電過壓/欠壓保護
■ 自動重啟功能
■ 過熱調(diào)節(jié)功能
■ 采用SOP-8封裝
典型應用
極限參數(shù)
| 符號 | 名稱 | 參數(shù)范圍 | 單位 |
| VDS | 內(nèi)部高壓MOSFET漏極到源極的峰值電壓 | -0.3~500 | V |
| IDD_MAX | VDD引腳鉗位電流 | 10 | mA |
| COMP | 環(huán)路補償點 | -0.3~6 | V |
| INV | 輔助繞組的反饋端 | -0.3~6 | V |
| SEN | 電流采樣端 | -0.3~6 | V |
| PDMAX | 功耗(注2) | 0.45 | W |
| θJA | PN結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 145 | ℃/W |
| TJ | 工作結(jié)溫范圍 | -40 to 150 | ℃ |
| TSTG | 儲存溫度范圍 | -55 to 150 | ℃ |
| ESD (注3) | 2 | KV |
應用信息
啟動
系統(tǒng)上電后，經(jīng)過整流后的電壓通過啟動電阻給 VDD 引腳的電容充電，當 VDD 電壓上升到啟動閾值電壓
后，芯片內(nèi)部控制電路開始工作，COMP電壓被上拉到1.7V，M8915開始輸出脈沖信號，COMP電壓從1.7V開始逐漸上升，原邊峰值電流隨之上升，從而實現(xiàn)輸出 LED 電流的軟啟動，有效防止輸出電流過沖。當輸出電壓建立之后，VDD通過二極管供電，從而降低系統(tǒng)功耗。
反饋網(wǎng)絡(luò)
M8915通過INV來檢測輸出電流過零的狀態(tài)。INV引腳也可以用來探測輸出過壓保護(OVP)，閾值為1.6V。INV的上下分壓電阻比例可以設(shè)置為：
其中，RINVL：反饋網(wǎng)絡(luò)的下分壓電阻
RINVH：反饋網(wǎng)絡(luò)的上分壓電阻
其中，RINVL：反饋網(wǎng)絡(luò)的下分壓電阻
RINVH：反饋網(wǎng)絡(luò)的上分壓電阻
VOVP_INV：輸出電壓過壓保護設(shè)定點
推薦INV下分壓電阻可以設(shè)置在5KΩ－－10 KΩ左右
保護功能
M8915內(nèi)置多重保護功能，保障了系統(tǒng)可靠性。 LED開路時，輸出電壓逐漸上升，INV引腳在功率管關(guān)斷時檢測到輸出電壓，當INV電壓升高到OVP閾值時，觸發(fā)保護邏輯并停止開關(guān)工作。
當LED短路時，系統(tǒng)工作在10kHz低頻。由于輸出電壓很低，無法通過二極管給VDD供電，所以VDD電壓逐漸下降直到欠壓保護閾值。系統(tǒng)進入保護狀態(tài)后，VDD電壓開始下降，當VDD到達欠壓保護閾值時，系統(tǒng)將重啟。同時系統(tǒng)不斷的檢測系統(tǒng)狀態(tài)，當故障解除，系統(tǒng)會重新開始工作。
當輸出短路或者電感飽和時，SEN峰值電壓將會比較高。當SEN電壓上升到內(nèi)部限制值(1V)時，該開關(guān)周期馬上停止。此逐周期限流功能可以保護功率MOS管、功率電感器和輸出續(xù)流二極管。
過溫調(diào)節(jié)功能
M8915具有過熱調(diào)節(jié)功能，在驅(qū)動電源過熱時逐漸減小輸出電流，從而控制輸出功率和溫升，使電源溫度保持在設(shè)定值，以提高系統(tǒng)的可靠性。芯片內(nèi)部設(shè)定過熱調(diào)節(jié)溫度點為150℃。
PCB設(shè)計注意事項
旁路電容VDD的旁路電容需要緊靠芯片VDD和GND引腳。地線電流采樣電阻的功率地線盡可能粗，且要離芯片的地(Pin2)盡量近，以保證電流采樣的準確性，否則可能會影響輸出電流的調(diào)整率。
另外，信號地需要單獨連接到芯片的地引腳。功率環(huán)路的面積減小大電流環(huán)路的面積，如功率電感、功率管及輸入電容的環(huán)路面積，以及功率電感、續(xù)流二極管、輸出電容的環(huán)路面積，以減小EMI 輻射。
INV引腳接到INV的分壓電阻必須靠近INV引腳，且節(jié)點要遠離功率電感的動點(DRAIN 引腳走線)，否則系統(tǒng)噪聲容易誤觸發(fā)INV OVP保護功能。
DRAIN引腳 適當增加DRAIN引腳的鋪銅面積以提高芯片散熱。
深圳市茂捷半導體有限公司
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