產(chǎn)品展示
六級(jí)恒流副邊PWM電源控制芯片M6362A
點(diǎn)擊次數(shù)：34發(fā)布時(shí)間：2017/11/29 17:14:02
更新日期：2019/6/27 17:40:38
所 在 地：中國大陸
產(chǎn)品型號(hào)：M6362A
相關(guān)標(biāo)簽：M6362A
優(yōu)質(zhì)供應(yīng)
詳細(xì)內(nèi)容
M6362A是一款高度集成的電流模式PWM控制芯片，主要用于高性能、低待機(jī)功耗和低成本的離線反激式電源適配器中。在滿載時(shí)，IC在固定頻率(65KHz)模式下運(yùn)行。當(dāng)負(fù)載降低時(shí)，工作在谷底導(dǎo)通的綠色工作模式，實(shí)現(xiàn)高功率下的高轉(zhuǎn)換效率。當(dāng)負(fù)載很小的時(shí)候，芯片以“擴(kuò)展的突發(fā)模式”運(yùn)行，以減少待機(jī)功耗。因此，在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)可以實(shí)現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率。
M6362A的VCC極低的啟動(dòng)電流和低運(yùn)行電流為啟動(dòng)和工作低功耗要求的設(shè)計(jì)中提供了可靠的應(yīng)用保證。
M6362A提供了包括循環(huán)電流限制(OCP)、過載保護(hù)(OLP)、電壓鎖定(UVLO)保護(hù)、超溫保護(hù)(OTP)和過電壓保護(hù)(OVP)等自動(dòng)恢復(fù)的全面保護(hù)覆蓋。以及優(yōu)異的抗EMI電磁干擾性能。
芯片系統(tǒng)設(shè)計(jì)中竭力避免低于23KHz的音頻工作頻率范圍，并在操作過程中消除音頻噪聲。M6362A提供SOT23-6封裝。
芯片系統(tǒng)設(shè)計(jì)中竭力避免低于23KHz的音頻工作頻率范圍，并在操作過程中消除音頻噪聲。M6362A提供SOT23-6封裝。
特性
開機(jī)軟啟動(dòng)減少M(fèi)OSFET Vds的壓力應(yīng)力
多段復(fù)合的工作模式：65KHz固定頻率模式@滿載
谷底導(dǎo)通工作模式@中低負(fù)載
擴(kuò)展的突發(fā)工作模式@輕負(fù)荷&空載
優(yōu)化EMI性能的抖頻技術(shù)
擴(kuò)展的突發(fā)工作模式提高轉(zhuǎn)換效率和極低的待機(jī)功耗
音頻噪聲處理功能
全面的保護(hù)功能：VCC鎖定與遲滯(UVLO)
VCC過電壓保護(hù)(VCC OVP)
在通用輸入電壓范圍內(nèi)固定輸出功率限制的電流閾值設(shè)置
過載保護(hù)(OLP)及自動(dòng)恢復(fù)功能
外部(如果NTC電阻連接在PRT pin)或內(nèi)部溫度保護(hù)(OTP)與自動(dòng)恢復(fù)功能
輸出電壓保護(hù)(輸出OVP)與自動(dòng)恢復(fù)，
OVP觸發(fā)電壓可由輔助繞組與PRT銷連接的電阻調(diào)節(jié)
典型應(yīng)用電路
引腳描述：
| 位號(hào) | 名稱 | 功能 |
| 1 | GND | 地 |
| 2 | FB | 反饋信號(hào)輸入，芯片的PWM占空比變化由該引腳的電壓電平信號(hào)和SEN引腳的電流信號(hào)決定 |
| 3 | PRT | 復(fù)合功能引腳，將NTC電阻與地面連接起來進(jìn)行OTP檢測(cè)。從輔助繞組連接電阻可以調(diào)節(jié)OVP觸發(fā)電壓，檢測(cè)變壓器磁芯去 磁狀況 |
| 4 | SEN | 電流信號(hào)檢測(cè)端 |
| 5 | VDD | 芯片供電 |
| 6 | GATE | 功率MOSFET驅(qū)動(dòng)輸出 |
額定參數(shù)
| 參數(shù) | 數(shù)值 |
| VCC直流電源電壓 | VOVP-1V |
| FB輸入電壓 | -0.3to7V |
| SEN 輸入電壓 | -0.3to7V |
| PRT 輸入電壓 | -0.3to7V |
| 操作結(jié)溫 | -40to150 ℃ |
| 操作環(huán)境溫度ta | -40to85 ℃ |
| 儲(chǔ)存溫度 | -55to150 ℃ |
| 焊錫溫度(焊接、10 秒) | 260 ℃ |
備注：應(yīng)力大于那些列在“絕對(duì)額定值”可能會(huì)造成永久性損壞。長(zhǎng)時(shí)間工作于“絕對(duì)額定參數(shù)”可能影響設(shè)備的可靠性。
工作概述
M6362A是一款高度集成的電流模式PWM控制IC，主要用于高性能、低待機(jī)功耗和低成本的離
線反激式電源適配器。
啟動(dòng)電流和啟動(dòng)控制
M6362A的啟動(dòng)電流設(shè)計(jì)得非常低，VCC可以在UVLO閾值水平上充電，設(shè)備快速啟動(dòng)。因此，
可以用一個(gè)大的值啟動(dòng)電阻器來限度地減少功耗，并能在應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)可靠的啟動(dòng)。
工作電流
M6362A的工作電流為2.5 ma(典型)。利用M6362A低運(yùn)行電流和“擴(kuò)展突發(fā)模式”控制功能
實(shí)現(xiàn)了良好的效率。
軟啟動(dòng)
M6362A內(nèi)部具有2ms(典型)軟啟動(dòng)，以減弱啟動(dòng)時(shí)電源供應(yīng)的電壓應(yīng)力。它在開機(jī)時(shí)被激
活。當(dāng)VCC到達(dá)UVLO(OFF)時(shí)，CS峰值電壓從0.05V逐漸增加到水平。每一次重啟之后都
會(huì)有一個(gè)軟啟動(dòng)。
頻率調(diào)整及EMI
M6362A中具有頻率變換(開關(guān)頻率調(diào)制)功能。系統(tǒng)振蕩頻率被嚴(yán)格調(diào)制，避免進(jìn)入音頻范
圍。頻率的擴(kuò)展調(diào)制將電磁干擾減小到*小，從而降低了應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計(jì)難度。
高效率的復(fù)合工作模式
M6362A是一種多模式的控制器。芯片根據(jù)FB引腳電壓改變來改變工作模式。在正常操作條
件,芯片在傳統(tǒng)固定頻率(65 khz)PWM模式。當(dāng)輸出負(fù)載電流降低時(shí)，芯片從PWM模式順利進(jìn)
入綠色模式。在這種模式下，開關(guān)頻率將從65KHz線性下降到23KHz，同時(shí)通過PRT腳監(jiān)測(cè)輔
助繞組上的電壓狀況可以實(shí)現(xiàn)谷底導(dǎo)通模式工作，從而開關(guān)損耗*小化，實(shí)現(xiàn)了高轉(zhuǎn)換效
率。
在輕負(fù)荷或無載工況下，開關(guān)式電源的大部分功率耗散是由MOSFET的開關(guān)損耗以及變壓器
的磁芯和控制電路的線路損耗。功率損耗的大小與開關(guān)頻率成正比。降低開關(guān)頻率從而減
小功率損耗，進(jìn)而節(jié)省能量，達(dá)到整體能耗降低的目的。
開關(guān)頻率在空載或輕負(fù)荷情況下內(nèi)部自動(dòng)進(jìn)行檢測(cè)調(diào)整。開關(guān)頻率在輕載/空載條件下降低
，以提高轉(zhuǎn)換效率。在輕負(fù)荷或無負(fù)載情況下，F(xiàn)B電壓降低到Vref_burst_L(進(jìn)入突發(fā)模式
閾值電壓)以下，系統(tǒng)進(jìn)入突發(fā)模式工作。當(dāng)FB電壓返回到Vref_burst_H(退出突發(fā)模式閾
值電壓)以上時(shí)，Gate驅(qū)動(dòng)輸出開關(guān)。否則，門驅(qū)動(dòng)器仍處于關(guān)閉狀態(tài)，以盡量減少開關(guān)損
耗，并將運(yùn)行功耗降低到限度。
退磁檢測(cè)
通過PRT腳對(duì)輔助繞組的電壓情況進(jìn)行監(jiān)測(cè)，檢測(cè)變壓器磁芯消磁情況。這種電壓具有回返
極性。在導(dǎo)通時(shí)間(由CS電壓和FB電壓決定)之后，開關(guān)就關(guān)閉了，反激退磁過程開始。反
激退磁過程之后，輔助繞組殘余電壓近似表現(xiàn)為跟隨頻率的振蕩形式1/2πLpCd 。Lp是變
壓器初級(jí)繞組的自身電感，Cd是開關(guān)結(jié)點(diǎn)折合電容。
典型的檢測(cè)方式是檢測(cè) PRT腳-50mv的電平。當(dāng)PRT的電壓低于-50mv時(shí)，可以通過檢測(cè)識(shí)別
判定為消磁過程中一個(gè)可能的“谷”。
