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產(chǎn)品展示

CAPHIT薄膜電容器

點(diǎn)擊次數(shù):24發(fā)布時(shí)間:2016/10/19 17:51:52

CAPHIT薄膜電容器

更新日期:2016/10/19 17:51:52

所 在 地:中國大陸

產(chǎn)品型號(hào):CSF

簡單介紹:模塊片式IGBT尖峰吸收電容器。適用于IGBT等開關(guān)器件的保護(hù),緩沖吸收器件關(guān)斷時(shí)的突波,防止瞬時(shí)突波擊穿IGBT。適用于所有品牌的IGBT模塊安裝,可提供特殊的安裝尺寸和方式。雙面金屬化薄膜,無感結(jié)構(gòu),具有低ESR、低ESL、高du/dt等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于變頻器、感應(yīng)加熱、逆變焊機(jī)、光伏逆變器等設(shè)備的IGBT吸收保護(hù)設(shè)計(jì)。

優(yōu)質(zhì)供應(yīng)

詳細(xì)內(nèi)容

 模塊片式IGBT尖峰吸收電容器。適用于IGBT等開關(guān)器件的保護(hù),緩沖吸收器件關(guān)斷時(shí)的突波,防止瞬時(shí)突波擊穿IGBT。適用于所有品牌的IGBT模塊安裝,可提供特殊的安裝尺寸和方式。雙面金屬化薄膜,無感結(jié)構(gòu),具有低ESR、低ESL、高du/dt等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于變頻器、感應(yīng)加熱、逆變焊機(jī)、光伏逆變器等設(shè)備的IGBT吸收保護(hù)設(shè)計(jì)。

產(chǎn)品特點(diǎn):

       低等效串聯(lián)電阻                            低等效串聯(lián)電感

       可承受較高的du/dt                        高頻、大電流、高壓,雙面金屬化薄膜,無感結(jié)構(gòu)

       額定電壓: 700 to 3000VDC           電容量: 0.047 - 7.5μF

應(yīng)用領(lǐng)域:

       廣泛應(yīng)用於變頻器、SVG、混合動(dòng)力車、逆變焊機(jī)、太陽能/風(fēng)力發(fā)電變流器等行業(yè)的“across-the-bus”功率線路設(shè)計(jì)。

聯(lián)系我們

聯(lián)系人:楊生

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企業(yè)檔案

  • 會(huì)員類型:免費(fèi)會(huì)員
  • 工商認(rèn)證: 【未認(rèn)證】
  • 最后認(rèn)證時(shí)間:
  • 法人:
  • 注冊(cè)號(hào):
  • 企業(yè)類型:代理商
  • 注冊(cè)資金:人民幣萬

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