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產(chǎn)品展示

CAPHIT薄膜電容器

點擊次數(shù):26發(fā)布時間:2016/10/19 17:49:58

CAPHIT薄膜電容器

更新日期:2016/10/19 17:49:58

所 在 地:中國大陸

產(chǎn)品型號:CSD

簡單介紹:軸向引線式IGBT尖峰吸收電容器。適用于IGBT等開關器件的保護,緩沖吸收器件關斷時的突波,防止瞬時突波擊穿IGBT。雙面金屬化薄膜,無感設計,具有低ESR、低ESL等特點,廣泛應用于變頻器、感應加熱、逆變焊機、光伏逆變器等設備的IGBT吸收保護設計。

優(yōu)質供應

詳細內容

 產(chǎn)品特點:

       低等效串聯(lián)電阻                            低等效串聯(lián)電感

       可承受較高的du/dt                        高頻、大電流、高壓,雙面金屬化薄膜,無感結構

       額定電壓: 700 to 3000VDC           電容量: 0.047 - 6.8μF

應用領域:

       廣泛應用於變頻器、SVG、混合動力車、逆變焊機、太陽能/風力發(fā)電變流器等行業(yè)的“across-the-bus”功率線路設計。

軸向引線式IGBT尖峰吸收電容器。適用于IGBT等開關器件的保護,緩沖吸收器件關斷時的突波,防止瞬時突波擊穿IGBT。雙面金屬化薄膜,無感設計,具有低ESR、低ESL等特點,廣泛應用于變頻器、感應加熱、逆變焊機、光伏逆變器等設備的IGBT吸收保護設計。



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