產(chǎn)品展示
絕緣電阻測(cè)試儀/濕-漏電流測(cè)試儀
點(diǎn)擊次數(shù):1163發(fā)布時(shí)間:2009/11/2 0:00:00

更新日期:1900/1/1 0:00:00
所 在 地:上海泊睿
產(chǎn)品型號(hào):BR-PV-IT
優(yōu)質(zhì)供應(yīng)
詳細(xì)內(nèi)容
技術(shù)規(guī)格
● 絕緣電阻和漏電流雙參數(shù)測(cè)試。
● 絕緣電阻測(cè)量范圍:100k-10TΩ105~1013Ω
● 絕緣電阻基本準(zhǔn)確度:<1G: 1%,≥1G: 3%,≥10G: 5%,≥1T: 10%。
● 輸出任意負(fù)電壓:1.0VDC~1000VDC,<100V:電壓步進(jìn)量0.1V,≥100V:電壓步進(jìn)量1V;緶(zhǔn)確度:1%
● 充電電流:30mA±5mA。
● 六量程自動(dòng)或手動(dòng)測(cè)試。
● 三檔測(cè)試速度:高速55次/秒,中速:25次/秒,滿速:3次/秒。
● 內(nèi)建精確定時(shí)器,自定義充電時(shí)間,定時(shí)時(shí)間:0秒~999.9秒。
● 雙顯示:同時(shí)顯示漏電流、絕對(duì)偏差(ΔABS)、相對(duì)偏差(Δ%)和分選輸出結(jié)果GD/NG。
● 多種觸發(fā)方式:內(nèi)部觸發(fā)、手動(dòng)觸發(fā)、外部觸發(fā)和遠(yuǎn)程觸發(fā)。
性能特征
● 高亮度,超清晰四色VFD顯示,多種參數(shù)同時(shí)顯示。
● 全量程開(kāi)路清零功能。
● 比較器(分選)功能:內(nèi)置30組記錄,可對(duì)被測(cè)件進(jìn)行GD/NG判斷。
● 比較器輸出:可通過(guò)選配Handler接口、RS232C輸出分選結(jié)果。
● 訊響:可設(shè)置訊響開(kāi)關(guān)。
● 訊響和顯示可調(diào):用戶可以根據(jù)自己需要設(shè)置GD/NG訊響和調(diào)節(jié)顯示亮度。
● 內(nèi)置RS232C串行接口。
● 可選Handler接口。
● 兼容SCPI編程規(guī)范
● 可選腳踏開(kāi)關(guān)。
光伏組件IEC61215各項(xiàng)試驗(yàn)?zāi)康?絕緣電阻應(yīng)滿足初始試驗(yàn)同樣的要求...
本絕緣電阻測(cè)試儀符合IEC 61215-2005第10.3項(xiàng)以下試驗(yàn)條件:
10.3.1 目的
測(cè)定組件中的載流部分與組件邊框或外部之間的絕緣是否良好。
10.3.2 裝置
a 有限流的直流電壓源,能提供500V或1000V加上10.3.4 c規(guī)定兩倍組件的系統(tǒng)電壓的電壓;
b 測(cè)量絕緣電阻的儀器。
10.3.3 試驗(yàn)條件
對(duì)組件試驗(yàn)的條件:溫度為環(huán)境溫度見(jiàn)GB/T 2421,相對(duì)濕度不超過(guò)75%。
10.3.4 程序
a 將組件引出線短路后接到有限流裝置的直流絕緣測(cè)試儀的正極。
b 將組件暴露的金屬部分接到絕緣測(cè)試儀的負(fù)極。如果組件無(wú)邊框,或邊框是不良導(dǎo)體,將組件的周邊和背面用導(dǎo)電箔包裹,再將導(dǎo)電箔連接到絕緣測(cè)試儀的負(fù)極。
c 以不大于500V•s-1的速率增加絕緣測(cè)試儀的電壓,直到等于1000V加上兩倍的系統(tǒng)電壓即由制造商標(biāo)注在組件上的系統(tǒng)電壓。如果系統(tǒng)的電壓不超過(guò)50V,所施加的電壓應(yīng)為500V。維持此電壓1min。
d 降低電壓到零,將絕緣測(cè)試儀的正負(fù)極短路使組件放電。
e 拆去絕緣測(cè)試儀正負(fù)極的短路。
f 以不大于500V•s-1的速率增加絕緣測(cè)試儀的電壓,直到等于500V或組件系統(tǒng)電壓的高值。維持此電壓2min。然后測(cè)量絕緣電阻。
g 降低電壓到零,將絕緣測(cè)試儀的正負(fù)極短路使組件放電。
h 拆去絕緣測(cè)試儀與組件的連線及正負(fù)極的短路線。
注:如果組件無(wú)金屬邊框,也沒(méi)有上玻璃層,應(yīng)將金屬板如10.3.4b放在組件的正面上重復(fù)絕緣試驗(yàn)。
10.3.5 試驗(yàn)要求
在步驟c中,無(wú)絕緣擊穿或表面無(wú)破裂現(xiàn)象。
對(duì)于面積小于0.1m2的組件絕緣電阻不小于400MΩ。
對(duì)于面積大于0.1m2的組件,測(cè)試絕緣電阻乘以組件面積應(yīng)不小于40MΩ•m2。